北京工业大学 电子信息与控制工程学院 新型光子器件实验室, 北京 100124
硅基雪崩光电探测器的器件性能与倍增层的掺杂浓度有着密切联系。研究了硅基雪崩光电探测器倍增层的掺杂浓度对雪崩击穿电压和光谱响应度等特性的影响。在硼的注入剂量由5.0×1012cm-2减小为2.5×1012cm-2时, 倍增层内电场强度逐渐降低, 吸收区电场强度迅速增大, 器件的雪崩击穿电压由16.3V迅速上升到203V, 而光谱响应在95%的击穿电压下, 峰值响应波长由480nm红移至800nm, 对应的响应度由11.2A/W剧增到372.3A/W。综合考虑光谱响应和雪崩击穿电压的影响, 在硼注入剂量为3.5×1012cm-2时, 可获得击穿电压为43.5V和响应度为342.5A/W的器件模型, 对实际器件的制备具有一定参考价值。
拉通 雪崩击穿电压 光谱响应 Si APD silicon avalanche photodiode reach through breakdown voltage spectral response
1 曲阜师范大学图书馆,山东 曲阜 273165
2 曲阜师范大学物理工程学院,山东 曲阜 273165
3 曲阜师范大学物理系,山东省激光偏光与信息技术重点实验室,山东 曲阜 273165
研究了强经典场驱动模型下原子间纠缠与光场间纠缠的演化特性,其中原子 与光腔场发生非共振相互作用。 给定其中某一原子与其耦合光腔场的条件,通过调节另一原子与其相互作用光场的失谐量,来分析原子 间纠缠出现猝死行为的区域,以及两光场纠缠相干态的产生条件。
量子光学 量子纠缠 转置矩阵负本征值 纠缠突然死亡 quantum optics quantum entanglement negative eigenvalues of the partial transposition entanglement sudden death
1 曲阜师范大学物理工程学院, 山东 曲阜, 273165
2 山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 曲阜师范大学物理系, 山东 曲阜, 273165
研究了耦合腔场模型下原子纠缠与光腔场纠缠的演化与转移问题。发现在不同Bell 型初态下，光腔场间耦合参数对初始纠缠的演化行为起到了不同的作用。对第一类Bell 态cosθ｜e,e+sinθ｜g,g,调节腔场间耦合参数既可以起到延长原子纠缠死亡时间的作用，又可以起到保护初始原子纠缠的效果。而对第二类Bell 态cosθ｜e,g+sinθ｜g,e,腔场耦合参数对原子间初始纠缠只起到保护作用。
量子光学 量子纠缠 共生纠缠 纠缠突然死亡 quantum optics quantum entanglement concurrence entanglement sudden death
