1 香港中文大学电子工程系,香港 新界 沙田
2 中国科学院半导体所集成光电子学国家联合实验室, 北京 100083
3 中国科学院半导体所集成光电子学国家联合实验室, 北京 100083
在三段电注入应变多量子阱分布反馈激光器中, 应用增益杠杆效应扩大了波长的可调谐范围。对其中两段加固定偏置直流电流, 另一段作为控制段(其长度为总腔长的0.33)。随着对控制段注入电流的增加, 发射波长会往长波方向移动。其波长连续可调谐范围(不含跳模)在1.538 μm波段可达0.82 nm。经过跳模后尚可连续调谐。
半导体激光器 量子阱 波长可调谐
集成光电子学国家重点联合实验室中国科学院半导体所区, 北京 100083
评述半导体激光器的发展动态, 包括应变量子阱激光器、垂直腔面发射激光器、可见光激光器、增益耦台型分布反馈激光器及高功率激光器列阵等。
半导体激光器 应变量子阱 激光器列阵 光电子学
1 太原工业大学激光所, 太原 030024
2 北方交通大学物理系, 北京 100083
3 中国科学院半导体所集成光电子学重点实验室, 太原 北京 100083
利用反应离子刻蚀(RIE)技术刻蚀激光器腔面,获得集成式沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,在室温下实现CW稳定单模运转。单模半宽约为0.23 nm,边模抑制比达19 dB,模间距约2.5 nm,单模运转双腔阈值电流为52 mA。
反应离子刻蚀 集成式沟槽耦合腔激光器 光电子集成回路
1 北京大学物理系集成光电子学国家重点联合实验室半导体所区, 北京 100871
2 中国科学院半导体所集成光电子国家重点联合实验室半导体所区, 北京 100083
1 北京大学物理系, 北京 100871
2 中国科学院半导体研究所, 北京
3 北方交通大学物理系, 北京 100044
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
半导体激光器 异质结构 光电子器件
1 太原工业大学激光研究所, 太原 030024
2 中国科学院半导体所, 北京 100083
3 北方交通大学物理系, 北京 100044
本文利用散射矩阵法和两步等效反射率法,分别就强耦合和弱耦合情况分析了耦合腔激光器的单模工作机理,并给出数值计算结果。
耦合腔半导体激光器 散射矩阵法 两步等效反射率法
在室温至600℃退火D2+轰击过的GaAs单晶片,只要退火温度低于200℃,得到的电阻率可达(1～2)×108欧姆.厘米。用D2+轰击(GaAl)As/GaAs双异质结构片,制成的隔离条形激光器,近场、光谱、频率响应及退火等特性都与H+轰击激光器差不多。
对研制的(GaAl)As/GaAs质子轰击隔离条形DH激光器的退化原因进行了实验分析。结果表明:快退化主要起因于有源区内的暗点、暗线及暗区等缺陷的增殖;腔面氧化是限制寿命在千小时的原因之一;质子轰击引入的点缺陷移入有源区是器件限制寿命在万小时的原因之一。
