1 厦门理工学院 光电与通信工程学院, 福建 厦门 361024
2 福建省光电技术与器件重点实验室(厦门理工学院), 福建 厦门 361024
3 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
通过理论计算获得ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径, 并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现, 在(211)面上进行异质外延, 两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性, 且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。ZnTe/GaAs(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合, 均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变, ZnTe/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变, 在一定程度上降低了外延ZnTe后异质结构的弯曲程度, 减小了热失配应变。
热应变 异质结构 thermal strain ZnTe ZnTe Si Si GaAs GaAs heterostructure 红外与激光工程
2016, 45(12): 1221003
