1 南开大学 电子信息与光学工程学院 电子科学与工程系, 天津 300071
2 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津 300071
采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向, 这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104 cm-1以上, 适用于热光伏薄膜太阳电池中.
GaSb薄膜 择优取向 热光伏(TPV) GaSb thin films the crystal orientation thermophotovoltaic
南开大学 电子信息与光学工程学院 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室, 天津 300071
介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用, 用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布。对横向PIN二极管进行了物理建模, 仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响, 总结了横向PIN二极管的一般设计规则。
硅基等离子 天线 横向PIN二极管 载流子浓度 silicon-based plasma antenna lateral PIN diode carrier concentration
1 河南工业大学信息学院,河南 郑州 450001
2 华中科技大学武汉光电国家实验室, 湖北 武汉 430074
由于半导体光放大器(SOA)的增益饱和效应,在波分复用系统中,每个信道的增益受到复用的其它信道的影响。SOA引起的各信道之间的串扰严重限制了其应用。理论研究了SOA增益饱和效应引起的信道间串扰,数值模拟了多路信道复用时系统的误码率随复用信道数和光功率的变化情况,发现随着复用信道数的增加SOA增益饱和引起的信道间串扰越来越严重。对SOA中串扰的抑制方法进行了理论和实验研究,数值模拟发现连续光注入可以抑制输出功率的波动,从而减小误码率,当复用10个信道时,连续光注入可以使功率代价减小2 dB; 实验验证了两信道的40 Gb/s系统中,注入连续光可以减少SOA引起的信道间串扰。
光纤通信 半导体光放大器 非线性串扰 连续光注入
