本文对LiF、NaF晶体中的F_2心光致电离为F_2~+心作了初步研究。实验表明:有F、E_2与F_3~+心的LiF晶体用汞灯、脉冲氙灯和直流碳电弧直接照射后,均可产生F_2~+心;有F、F_2与F_3~+心的NaF晶体用脉冲氙灯和钨灯照射后,也可产生F_2~+心。并对这些现象进行了讨论。本文还讨论了两步电离的效率问题,计算结果表明:提高两步电离效率的途径是寻找频率条件和功率密度都适当的光源和陷阱杂质,并给出了两步电离效率的表达式:η=k‘/(k‘+1/τ‘).
本文从实验上探讨了LiF晶体中F2~+心的产生过程,证明用辐照剂量与辐照时间这两个参量作为辐照条件是恰当的,比只用一个辐照剂量参量更能清楚地说明F2~+心产生的过程。实验发现,F2~+心存在一个极值密度,它与辐照源及晶体内在因素有关,理论计算证明了这一点,并给出了极值密度的表达式:N(max)=krτ。从残余荧光现象出发,提出了F2~+心具有自由态与束缚态。并测定了国产LiF晶体中F2~+心的寿命与荧光光谱.
