采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序)， 在广义梯度近似(GGA)下, 计算了硅纳米晶（Si75H76）在B和P掺杂和乙基（—CH2CH3）、 异丙基（—CH(CH3)2）表面改性等情形下态密度、 结合能及能隙的变化。 结果表明： 掺杂对体系的禁带宽度（约3.12 eV）几乎没有影响， 但会引入带隙态； 三配位的B掺杂， 在禁带中靠近导带约0.8 eV位置引入带隙态， 三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2 eV位置引入带隙态； 四配位的B掺杂， 在禁带中靠近价带约0.4 eV位置引入带隙态， 四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1 eV位置引入带隙态； 且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位； 适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量， 且表面覆盖程度越高体系能量越低， 但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻， 计算时系统不能收敛。