在上海光源上设计了一条光子能量覆盖5～140 eV的高通量、高分辨的真空紫外角分辨光电子能谱束线.本光束线采用准周期椭圆偏振波荡器光源,其周期长度为0.32 m,周期数为14.单色仪采用Dragon型,分为覆盖5～32 eV的低能分支和25～140 eV的高能分支.计算表明,当入射/出射狭缝开启宽度为5/5 μm时.在整个能量扫描范围内,单色仪分辨率可以高达15 000～100 000,光学元件的面型误差对分辨率的影响最大.通量计算显示,样品处s偏振光子通量高达～1012 phs/s.Shadow追迹模拟结果表明,设计的光束线具有很好的聚焦特性.

论述了在接触显微成像技术中,后续放大设备对分辨率的影响,并用实验方法比较了采用光学显微镜和原子力显微镜阅读并放大显微图的结果,表明采用原子力显微镜放大显微图是一种较为理想的方法.

利用XAFS(X-射线吸收精细结构)方法研究六方的纳米晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构.对于第一近邻Ga-N配位,纳米晶GaN的平均键长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σS与晶体GaN的相近,分别为0.194nm、4.0、0.0052nm、0.0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga-N配位的σT增加不多,小于0.0005nm,表明第一近邻Ga-N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响.对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0.318nm,纳米晶GaN的σ_S(0.0057nm)比晶体GaN的(0.001nm)大0.0047nm;在78K和300K时,纳米晶GaN样品的Ga-Ga配位的σ_T分别为0.0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σ_T受温度变化产生很大影响.纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σ_S相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表现不饱和配位原子所致.

介绍了在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站上利用氦气进行软X射线显微成像研究的理论依据、实验装置以及实验结果和意义

采用了一种简便易行的方法,在真空环境中进行含水生物样品(植物叶表皮细胞)的软X射线显微成像实验,获得了高分辨率显微图像。与在大气环境中成像相比,这种方法具有缩短曝光时间和操作更加安全等优点。

用光刻胶记录了水窗波段同轴X射线全息图, 并以数字方法再现了原物像。 所用光源为经线性单色仪单色化的800 MeV电子储存环弯铁辐射(3.20 nm)。 再现物体的分辨率为2 μm, 并有较大提高的可能性。