作者单位
摘要
1 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
2 中国科学院半导体研究所,半导体材料开放实验室,北京,100083
3 Gao
4 Physics Departimet, Lancaster University, UK
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm2.
量子级联 子带跃迁 激光器. quantum cascade subband transition laser. 
红外与毫米波学报
2001, 20(1): 41
作者单位
摘要
1 西北大学物理系, 西安 710069
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室, 西安 710068
3 中国科学院半导体研究所, 北京 100084
从速率方程出发对双区共腔(CCTS)光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算,并对其稳态特性进行了实验研究和测试,得出了定量和定性的分析结果,同时还首次发现当激光输出高态时又出现了一次光双稳和开关效应。经研究确认是量子阱探测器的自电光效应。并提出一种可集成双逻辑功能显示的新型网络模型器件。
双区共腔 双逻辑 双稳态 自电光效应 自锁 量子阱 
光学学报
1996, 16(8): 1045
作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所
采用GaAs/GaAlAs多层液相外延技术研制成一种光触发异质结负阻激光器。文中简述了器件的工作原理和某些特性。
中国激光
1986, 13(7): 401
作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所
中国激光
1980, 7(5-6): 124
作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所
中国激光
1978, 5(5-6): 90

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