湖北台基半导体股份有限公司, 湖北 襄阳 441021
介绍一种超高速脉冲半导体器件，该器件属于穿通型器件，电压可达到5000 V，电流上升率可以达到20 kA/μs 以上，根据参数调配，脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构，采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术，使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且，该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化，使生产条件易满足。
脉冲功率技术 晶闸管 穿通型 缓冲层 多元胞集成结构 pulsed power technology thyristor punch-through buffer layer multiple-round-cell integrated structure 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045005
