罗毅 1,2,*张贤鹏 1王霖 2杨毅 2[ ... ]邓国强 3
作者单位
摘要
1 清华大学电子工程系 集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹), 北京 100084
2 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室, 广东 深圳 518057
3 东莞勤上光电股份有限公司技术研发中心, 广东 东莞 523565
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源, 具有其他传统光源无法比拟的诸多优点, 被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势, 利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计, 以高端半导体照明光源的制造为突破点, 带动整个半导体照明产业的快速进步, 已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用, 并通过设计实例, 介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。
半导体照明 非成像光学 氮化镓 发光二极管 
中国激光
2008, 35(7): 963
作者单位
摘要
1 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室, 北京100084
2 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,深圳518057
以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200 lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间。从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向。
半导体照明 氮化镓 发光二极管 流明效率 热阻 非成像光学 
激光与光电子学进展
2007, 44(3): 17

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