National Engineering Laboratory of Special Display Technology, National Key Laboratory of Modern Display Technology, Hefei University of Technology, Hefei 230009, CHN
在热注入法制备全无机钙钛矿CsPbBr3量子点的过程中，增加使用短链的噻吩?3?硼酸，与长链烷基链配体一起形成量子点表面钝化层，被证明是提高量子点稳定性的有效方法。由于噻吩?3?硼酸中S原子与量子点表面Pb之间有更强的范德瓦尔斯力，可以在全无机钙钛矿量子点表面形成更加稳定的钝化层，从而有效抑制高温环境下CsPbBr3量子点表面缺陷的产生，以及由此引起的非辐射跃迁过程。对比实验表明，在120 ℃加热70 min的条件下，基于常规的长链配体的CsPbBr3量子点，其荧光强度大幅衰减到初始值的11%，同时PLQY从50.7%下降到4.5%。基于噻吩?3?硼酸配体表面修饰的CsPbBr3量子点，在相同热处理条件下荧光强度衰减到初始值的51%，相应的PLQY从66.7%下降到32.7%。红外光谱证明该新型配体的加入实现了更稳定的量子点表面钝化，从而有效提高了量子点材料的荧光量子效率和热稳定性。
钙钛矿量子点 噻吩?3?硼酸 热稳定性 光致发光 荧光量子产率 perovskite quantum dots thiophene-3-boronic acid thermal stability photoluminescence PLQY
合肥工业大学 光电技术研究院,特种显示技术国家工程实验室, 省部共建现代显示技术国家重点实验室(培育基地), 合肥 230009
基于2,7-二辛基［1］苯并噻吩并［3,2-b］苯并噻吩(C8-BTBT)与无机钙钛矿CsPbBr3 量子点构成复合发光层, 采用倒置QLED器件结构(ITO/ZnO/EML/CBP/MoO3/Al), 研究了氧化锌电子传输层的镁离子掺杂工艺对发光层荧光量子效率及界面稳定性的影响规律和机制。镁离子掺杂可以在一定范围内线性调控电子传输层的光学带隙, 同时有效改善薄膜的表面形貌, 从而提高与发光层之间的界面质量。实验发现, 相对于未掺杂的ZnO薄膜, Mg0.09Zn0.91O薄膜的表面粗糙度和表面能显著下降, 光学带隙则提高了0.2 eV, 相应的以电子漂移为主的电导率显著下降。进一步通过调控复合发光层中的主客体比例, 可以调节空穴注入比, 改善载流子传输的平衡性。采用Mg0.09Zn0.91O薄膜作为电子传输层的主客体复合发光层具有更高的荧光量子效率和PL荧光寿命。研究为开发相应的倒置结构电致发光器件提供了坚实的实验依据。
倒置结构 2,7-二辛基［1］苯并噻吩并［3,2-b］苯并噻吩 inverted structure MgxZn1-xO MgxZn1-xO 2,7-dioctyl［1］benzothieno［3,2-b］benzothiophene CsPbBr3 CsPbBr3
