1 南京大学 电子科学与工程学院, 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京 210093
2 南京电子器件研究所, 南京 210016
目前, SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确, 相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析。研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响, 结果表明, 其刚度与薄膜面积成反比, 与薄膜厚度的三次方成正比。其次, 研究了材料中缺陷的尺寸及其位置对SiC薄膜力学性能的影响, 模拟结果表明, 缺陷的位置越接近薄膜中心, 对刚度的影响越大; 缺陷的尺寸越大, 密度越高, 薄膜的刚度越小。根据实验测得高温下杨氏模量数据, 模拟计算发现SiC薄膜的刚度在290~2500K范围内, 随温度升高呈准线性下降趋势。
SiC薄膜 ANSYS数值模拟 刚度 缺陷 温度 SiC thin film ANSYS numerical simulation stiffness defect temperature
南京大学 电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093
采用真空蒸镀方法在Si衬底上制备了Si/Au、Si/Ni/Au和Si/Ti/Au结构多层膜,进行多种条件下的退火实验,研究了不同黏附层对Au/Si共晶体系中硅扩散的影响。实验结果表明,黏附层对硅的扩散起到阻挡作用,Ti层与Ni层作为阻挡层在较低温度下发生失效,退火气氛对阻挡层的失效具有显著影响。这表明Au/Si体系中扩散阻挡层失效的机制并不是直接的固相反应。文章提出势垒模型来解释扩散阻挡层的失效机制。
共晶 硅扩散 扩散阻挡层 退火气氛 Au/Si Au/Si eutectic diffusion barrier layer ambient
1 南京大学 江苏省光电功能材料重点实验室, 江苏 南京 210093
2 南京大学 电子科学与工程学院, 江苏 南京 210093
用自组装的Ni纳米岛做掩模通过ICP刻蚀得到GaN纳米柱,采用扫描电子显微镜(SEM)观测其形貌,室温下光致发光(PL)谱测量研究样品发光特性.结果表明,室温下GaN 纳米柱的发光强度是体材料的2.6倍.为了修复刻蚀损伤,用KOH对样品进行湿法处理,发现经KOH处理的纳米柱与处理前相比变得更直,且其发光较处理之前进一步增强.为了研究其原因,分别对KOH处理前后的样品进行变温PL谱的测量,发现湿法处理后发光增强是由于内量子效率的提高引起的.
GaN纳米柱 KOH腐蚀 光致发光 内量子效率 GaN nanorod KOH treatment photoluminescence(PL) quantum efficiency
