1 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海 200030
2 上海交通大学物理系, 上海 200030
采用丘克劳斯基(Czochralski)法生长了Tm:YAP晶体,研究了该晶体在室温下的吸收光谱和荧光光谱。结果表明,Tm:YAP晶体在689.5 nm和795 nm左右有较强的吸收峰,分别对应于3H6→3F3和3H6→3H4的能级跃迁,半峰全宽(FWHM)分别为22.5 nm和30 nm,吸收截面分别为1.89×10-20 cm2和1.35×10-20 cm2。荧光光谱表明Tm:YAP晶体发射波长为1.89 μm,相应的荧光寿命为13.90 ms,发射截面为1.58×10-19 cm2。根据乍得-奥菲特(Judd-Ofelt)理论计算了Tm3+在Tm:YAP晶体中的强度参数:Ω2=1.4560×10-20 cm2,Ω4=2.0673×10-20 cm2,Ω6=0.3181×10-20 cm2。结果表明,Tm:YAP晶体具有宽的吸收峰、长荧光寿命和较大的积分发射截面的性质,非常适合于激光二极管(LD)抽运,有利于获得低阈值高效率的2 μm波段激光输出。
材料 Tm:YAP晶体 乍得-奥菲特理论 光谱特性