为研究工艺参数对激光选区熔化纯铜粉末成形件上表面粗糙度的影响, 采用正交实验对纯铜粉末进行了激光选区熔化成形研究。分析了铺粉厚度为0.05 mm时, 工艺参数对成形件上表面粗糙度的影响规律及影响机理, 确定了各工艺参数对上表面粗糙度影响的主次顺序为扫描间距＞扫描速度＞激光功率＞扫描路径, 得到最优的工艺参数组合为激光功率 380 W, 扫描速度 600 mm/s, 扫描间距 0.05 mm, 扫描方式选择正交形。结果表明: 在因素水平范围内, 成形件上表面粗糙度随激光功率的增大而减小, 随扫描速度、扫描间距的增大而增大, 采用正交形的扫描路径可得到相对低的表面粗糙度。体能量密度在180 J/mm3至200 J/mm3之间时, 上表面粗糙度最低。

搭建测试系统，对宽面源单管半导体激光器(LD)和其组成的二维阵列光源的远场散斑特性进行了测量。使用方形光阑对激光二极管发出的照明光斑进行选择，测试不同位置的光斑的散斑对比度，实验结果表明随着光阑的移动，不同位置处光斑的散斑对比度没有明显的变化趋势，光斑的散斑对比度与光斑的选择区域无关。实验中使用4颗LD组成二维阵列光源引入非相干光源和角度多样性，调节LD与屏幕之间的距离改变相邻LD入射至屏幕的光的夹角，固定CCD物镜相对屏幕的张角，实验结果表明只有当入射光夹角大于物镜相对屏幕张角时，测试的散斑对比度会降低一个1/M因子。