作者单位
摘要
1 云南大学 材料与能源学院,国家光电子与能源材料国际研究中心,云南 昆明 650091
2 斯威本科技大学 平动原子材料中心,霍桑3122,澳大利亚
3 上海电力大学 电子与信息工程学院,上海 200090
报道了一种在Si+/Ni+离子共注入绝缘体上硅(SOI)基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法。通过时域有限差分法(FDTD)设计出具有荧光增强效应的光子晶体结构金属膜,利用Langmuir-Blodgett(LB)方法在Si+/Ni+离子共注入SOI上排列一层聚苯乙烯(PS)小球,接着沉积一层Au薄膜,然后用电感耦合等离子体(ICP)蚀刻技术在SOI晶片顶部形成了纳米盘状的刻蚀Au光子晶体。光致发光(PL)实验表明光子晶体的引入有效增强了缺陷Si薄膜在近红外波段的发光效率。这种工艺简单、成本低且发光增益高的光子晶体在硅基集成光子学上具有重要的应用前景。
红外物理 光致发光 离子共注入 绝缘体上硅 光子晶体 等离子体 infrared physics photoluminescence ion co-implantation silicon on insulator photonic crystal plasma 
红外与毫米波学报
2021, 40(5): 680
作者单位
摘要
1 昆明理工大学材料系,云南昆明,650051
2 云南大学物理系,云南昆明,650091
基于氧化物高温超导体YBa2Cu3O7-δ的各向异性Seebeck(塞贝克)效应,制作了室温下的激光功率计,并测量了从红外到紫外波段下的激光响应.结果表明,在一定激光功率范围内,器件的信号响应与激光功率呈较好的线性关系.综合性测试表明,这类器件的优点是频谱响应宽,时间响应可达到ns量级.
功率计 塞贝克效应 热电元件 
中国激光
2002, 29(3): 205
作者单位
摘要
1 云南大学物理系, 昆明 650091
2 云南省分析测试中心, 昆明 650031
黄色V2O5在一定能量密度紫外激光的作用下.导电性能发生了显著的变化,从原来的绝缘体转变为半导体,同时表面颜色也发生了变化.利用X射线衍射、X射线光电子能谱及显微镜等多种测试方法进行了分析比较,确定了该过程是由于短脉冲的准分子激光作用,造成了V2O5的快速升温熔化和快速冷凝重构.引起了化学配比偏离原先组份.即非化学配比所致.
准分子激光 表面改性 非化学配比 
中国激光
1997, 24(12): 1129

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