利用稳态SCLC法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的Tips-PEN薄膜的空穴迁移率，并对两种方法的测试结果进行比较和分析。测试样品是p+Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag构成的单载流子器件。稳态SCLC法测试的器件Tips-PEN厚度为87 nm，得到零场迁移率和场依赖因子分别为121×10-5 cm2/(V·s)和0002 4 (cm/V)1/2[阻抗谱法测试的器件Tips-PEN厚度为827 nm，得到零场迁移率和场依赖因子分别为1219×10-5 cm2/(V·s)和0003 47 (cm/V)1/2。稳态SCLC法得到的场依赖因子较小，呈现较弱的场依赖关系，其原因是为得到无陷阱模式下的稳态SCLC需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场，以至于注入较高的载流子浓度。这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱，与理论模型和模拟预测的趋势一致。

本文研究了利用旋涂法在硅衬底上制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和三氟乙烯偏氟乙烯的共聚物(P(VDFTrFE))双层复合绝缘膜的漏电机理，采用这种膜的MIS器件的单位面积电容为32 nF/cm2。电流电压测试结果显示在不同的电压范围内其漏电曲线出现转折点，反映了这种膜在不同的电场下有不同的漏电机制。对实验结果拟合分析表明，在0～1 V电压范围内，其漏电主要是PooleFrenkel机制控制;在1～25 V电压范围内，主要是以肖特基发射电流为主;而在35～40 V的电压范围内，绝缘膜漏电流是空间电荷限制电流。

利用压电喷墨印刷技术沉积了PEDOT/PSS有机导电薄膜, 研究了退火温度和乙二醇掺杂对薄膜导电性能的影响。实验结果表明: 未退火和退火温度为120, 140, 160℃时, 薄膜表面平均粗糙度分别为8.15, 4.10, 3.36, 2.66 nm; 乙二醇掺杂使导电激活能由未掺杂时的0.096 eV减小为0.046 eV; 电导激活能减小表明PEDOT分子链从低电导率的卷曲构象向高电导率的伸展构象转变; 此外, 乙二醇掺杂促使PSS与PE-DOT/PSS分离, 使团聚的PEDOT/PSS颗粒变小从而分散更均匀, 降低了表面粗糙度。

有机薄膜晶体管在大面积柔性显示、柔性电子存储等方面具有广阔的潜在应用前景。喷墨印刷技术由于具有工艺简单、成本低廉、微图形数字化、与柔性衬底兼容等优点而成为一种有效的制造有机电子器件工艺方法。文章综述了近年来基于喷墨印刷技术制备有机薄膜晶体管的研究进展,探讨了在制造过程中存在的问题。