采用理论分析和微波注入实验相结合的方法，分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题，通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析，并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明：在固定环境温度条件下，有效注入功率大于33 dBm，频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上；有效注入功率大于30 dBm，频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显，拐点为40~70 ns不等，与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。

研究了一种用于GW级高功率微波耦合输出的新型线极化高功率微波双工器, 该双工器由周期性的金属圆柱组成。对该双工器的Floquet空间谐波影响因素进行了讨论, 得到了双工器空间谐波选择的重要规律, 并以此设计了一个S/X波段线极化高功率微波双工器。对其进行的低功率冷测实验发现, 该双工器对S/X波段的反射效率和透射效率分别高于97%。在进一步的高功率实验研究中, 利用S和X波段1.8 GW, 80 ns的高功率微波照射没有发现微波击穿。

利用设计的三反相器模数(A/D)转换电路，开展了P波段微波注入实验。采用眼图观测法对电路的线性响应进行了有效测量，推导了实验线路中微波注入效率公式，利用一种实时温度检测电路来验证芯片工作状态的稳定性，并利用统计检验的方法分析了不同芯片及电路板等对实验数据获取的影响，从而保证了实验的有效性和可信度。重点研究了注入微波的幅值、频率、脉宽及重复频率等参数对反相器正常工作的影响。实验结果表明:当注入微波信号脉宽大于70 ns时，电路信号在微波脉冲结束后,相邻脉冲脉宽变化10%的非线性干扰功率阈值，比使电路信号噪声容限降低50%的功率阈值大4~6 dB，电路信号脉宽变化30%的功率阈值比脉宽变化10%的大2~3 dB，在功率小于32 dBm的实验中得到的最大非线性干扰为脉宽变化约40%。非线性干扰阈值随注入微波信号脉宽变化明显，拐点为40~70 ns。注入微波的重复频率对微波干扰阈值影响很小。

利用时域有限差分法对微波脉冲与带矩形孔缝的矩形和圆柱形腔体两种系统的线性耦合过程进行了研究。首先用数值方法分析了耦合过程中的场增强现象、脉宽展开现象和腔体调制现象,并发现了耦合过程中微波脉冲存在频谱分离现象。当微波脉冲的电场与孔缝窄边平行时,借助耦合函数对两个系统内部耦合场的分布特性进行了研究,结果表明在与孔缝窄边垂直的平面内,越靠近腔体壁,耦合场越弱。此外,两种腔体内部的耦合场在腔体截面内均呈现准周期振荡分布,矩形腔体内部耦合场振荡的幅值较均匀,而圆柱形腔体内部耦合场幅值在其截面中心附近区域最大;除了孔缝附近区域外,圆柱腔体轴线两端的耦合场远大于矩形腔体相应的耦合场。最后,研究了孔缝耦合共振频率与孔缝尺寸的关系,结果表明系统耦合共振频率不只与孔缝尺寸有关,而是由孔缝尺寸和腔体形状及其对微波脉冲的反射特性共同决定。

利用互补天线原理从理论上推导了真空、介质窄缝的共振频率公式,在理想窄缝长度小于5倍波长、辐射角度偏离垂直方向小于30°的情况下,孔缝的共振频率点仍然可以用半波振子的辐射情况来解释,共振点满足孔缝长度等于入射波的半个波长;介质窄缝等效为半个孔缝深度的微带贴片天线,不同介电常数介质填充时的共振频率理论公式推导值和数值模拟值基本一致,相对误差在5%以内。进一步分析了窄缝阵列的耦合性能,结果表明互补天线原理可以很好地应用于分析和求解孔缝的共振性能。

利用时域有限差分(FDTD)方法计算了不同内孔缝位置情况下微波脉冲与带缝嵌套圆柱形腔体系统的耦合过程;分别分析了内孔缝位置对外部带缝腔体和内部带缝腔体耦合特性的影响.结果表明:除了内孔缝附近区域以外,内孔缝位置对外腔耦合特性的影响很小,可以忽略不计;但内孔缝位置对内腔耦合特性的影响较大,而且内腔的屏蔽性能由外腔内的耦合场分布以及内孔缝的位置共同决定.