南开大学现代光学研究所, 教育部光电信息技术科学开放研究实验室, 天津 300071
采用激光诱导荧光技术对InCl分子C1Π1→X1Σ+荧光光谱进行了分析和归属, 在发射谱中探测到ν′=1向下的跃迁, 证明C态预离解只能发生在ν′=1之上。 并对C1Π1→X1Σ+的荧光衰变曲线进行了观测, 得到InCl分子C1Π1(ν′=1)态的无碰撞辐射寿命τ0≈11 ns及电子跃迁矩|Re|2≈5.95D2。
激光诱导荧光 无碰撞寿命 电子跃迁矩 预离解
南开大学现代光学研究所, 教育部光电信息技术科学开放研究实验室, 天津 300071
采用激光诱导荧光技术对InCl分子A3Π0→X1Σ+荧光光谱进行了分析和归属, 并对A3Π0(ν′=1)→X1Σ+(ν＂=1, 2, 3, 4, 5)的时间分辨谱进行了观测, 得到InCl分子A3Π0态无碰撞辐射寿命τ0≈370 ns, 无碰撞弛豫速率常数kQ≈9.87×10-11 cm3molec-1s-1。
时间分辨谱 寿命 弛豫速率 激光诱导荧光
南开大学现代光学研究所, 教育部光学信息技术科学开放研究实验室, 天津 300071
利用气相吡啶分子分别在圆偏振光激发和线偏振光激发下的(2+3)偏振共振多光子电离(PRMPI)谱, 对其第一激发态(S1)上的振转结构进行了研究。 在谱中观察到了呈双峰结构的电子振转跃迁谱带。 分析表明, 所有振动谱带均为S1态上ν6a、 ν10a、 ν12、 ν16b和ν17a以及基态上ν9a的混合频率谱带。 指认吡啶ν17a的S1态频率为670 cm-1, 并认为在S1态上ν17a频率降低的原因与ν10a类似。
偏振共振多光子电离谱 偏振比 电子振动谱带
1 中国科学院物理研究所光物理开放实验室,北京,100080
2 中国科学院化学研究所,北京,100101
激光限幅是针对由于激光技术的广泛应用和激光**的实用化而采取的激光防护新技术.所谓激光限幅器,即是在低光强或低能流密度的条件下,器件具有高线性透过率,而在高光强或高能流密度的条件下,器件具有低非线性透过率,从而把输出光限制在一定的功率或能量以下,因此可有效地实现对多种观瞄系统光电传感器及人眼的有效防护.近年来,基于材料的非线性双光子吸收的有机光限幅材料的研究取得了一定的进展,但仍远远满足不了激光限幅器实用化的要求.因此寻求新的具有高的非线性性能的激光限幅材料是摆在我们面前的一项重要任务.……
教育部光电信息技术开放实验室,南开大学现代光学研究所,天律,300071
ⅢA族单卤化物由于其在卤素刻蚀半导体材料中的重要作用及在半导体淀积生成新的光电材料过程中作为一种重要媒介物而引起人们的关注.尤其是近年来报道了ⅢA族单卤化物在可见光波段类似稀有气体单卤化物,具有激光作用的电子谱,更引起了人们的极大兴趣.因此,研究其基本的光谱性质、动力学过程及测量有关参数,具有重要意义.……
南开大学现代光学研究所,教育部光电信息技术科学开放研究实验室,天津,300071
采用激光诱导荧光技术对InCl分子B3П1→X1∑+荧光光谱进行了分析和归属,并对B3П1(v′=0)→X1∑+(v″=0)的时间分辨谱进行了观测．首次得到InCl分子B3П1态(v′=0)无碰撞辐射寿命т0≈353ns,无辐射弛豫速率常数kQ≈1．985×10-10cm3molec-1s-1及电子跃迁矩｜Re｜2=0．40D2．
无碰撞寿命 弛豫速率常数 电子跃迁矩 激光诱导荧光(LIF) collision-free lifetime relaxation rate constant electronic transition moment laser induced fluorescence
