测量离子注入硅片对强连续CO2激光的透射率和反射率随辐照时间的变化,发现硅有极强的能量吸收。这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释。
本文基于半导体材料硅(Si)中电子、空穴的费米统计分布,计算了Si对CO2 激光的透射率随温度的变化,并用实验理论作了验证.说明在强CO2激光辐照下,Si对CO2激光能量有着强烈的吸收,其机理主要是自由载流子吸收.
本文从理论和实验研究了连续CO2激光辐照下磷离子注入Si对He-Ne激光束反射率呈现的动态干涉效应。从反射强度随时间的变化看出,Si片离子注入层固相外延的速率在整个再结晶过程中是不均匀的。
本文测量了砷离子(As~+)注入的Si在连续CO2激光辐照下光的椭圆偏振参数、反射率、表面薄层电阻率随时间的变化。从ψ、△、R、ρ的变化看出Si注入层的激光退火是在一定的时间、温度条件下迅速完成的。
实验表明,在连续CO_2激光辐照下,Ge平行板透射光强度随时间呈准周期性的变化。基于平行平面板的多光束干涉理论,并考虑激光引起的温升对Ge片折射率和厚度的影响,得到的计算结果与实验相符合。这说明平行平面Ge在高功率连续CO_2激光作用下因折射率和厚度随温度的变化而具有一种动态的法布里-珀罗干涉效应。
