1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 吉林大学公共计算机教学与研究中心, 吉林 长春 130000
采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化物清理速率及氧化层对高能电子的吸收系数。根据清理速率对衬底温度依赖的Arrhenius关系，估算了Ga辅助清理过程中发生化学反应所需要的活化能。Ga束流辅助清理衬底表面氧化物技术在外延生长中具有实际可应用性。用这项技术清理外延GaAs衬底，仅通过生长十几纳米厚的GaAs缓冲层，就能够重复地获得高质量低密度InAs量子点。另外，采用这项技术良好地保持了外延衬底的原有表面特性，相信它在需要保持良好界面特性的器件结构外延再生长中也将具有特别的潜在应用价值。
光电子学 Ga辅助清理 高能电子衍射 InAs量子点 光学学报
2011, 31(10): 1016003
1 北京邮电大学光通信中心,北京,100876
2 中国科学院半导体所光电子工艺中心,北京,100083
提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器结构,模拟得到了量子效率从峰值下降0.5 dB的线宽1.8 nm,10 dB的线宽5.6 nm,20 dB的线宽10.4 nm,量子效率峰值99.7%,几乎没有凹陷的响应曲线.
波分复用 光电探测器 谐振腔增强型 平顶响应
