采用旋涂法进行了Si表面紫外固化胶涂布研究，并压印出了长波红外亚波长结构图形。用激光共聚焦显微镜观察了旋转涂布胶层的表面形貌，测量了表面粗糙度(Ra)；用椭圆偏振仪测试了胶层厚度，扫描电子显微镜观察了压印图形的表面形貌，并用扫描探针显微镜测量了压印图形的结构高度。结果显示：当匀胶转速较小(如300 r/min)时，胶层中不会产生气泡及针孔等缺陷，胶层的Ra小，但胶层均匀性差；提高转速可以改善胶层均匀性，但同时胶层中会产生大量气泡和针孔等缺陷，且它们不会随匀胶时间的延长而消除。文中提出用四转速匀胶法来同时解决胶层均匀性和膜层气泡等问题，获得的胶层无气泡，Ra为317 nm时与Si衬底表面相当(324 nm)，均匀性(最小厚度值与最大厚度值之比)为89.17%，胶层平均厚度为626 nm。结果表明：四转速涂胶法获得的胶层满足紫外压印长波红外亚波长结构的要求，压印的图形均匀、完整、保真性好。

为了减小锗表面的反射,利用模式理论对锗衬底正方柱形亚波长结构的衍射特性进行了研究。结果发现,当周期较小时,占空比大于0.78对透射率的影响比较明显;周期大于0.25λ,零级透射率随周期的增大急剧下降,而总透射率随周期的增大变化不大;周期较小透射率随结构高度的变化呈余弦周期性,周期增大透射率随结构高度的变化呈余弦赝周期性,并且周期越大余弦赝周期性越明显;此外,周期较小时,可以实现大角度范围内的高的透射率,周期较大时,可以制备为窄带滤波器。

把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8～11.5 μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜；用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH4的混合气体中,以单晶Ge圆片为靶制备了GeC薄膜。分别用柯西(Cauchy)公式和乌尔巴赫(Urbach)公式表示折射率和吸收系数,对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合,得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP膜的折射率与块体材料的相近,在波长10 μm处约为2.9；GeC膜的折射率较小,在波长10 μm处约为1.78。用所得到的薄膜折射率,通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并制备出了GeC/GaP双层增透保护膜系,当GaP膜厚较大时,由于吸收增大膜系增透效果较差；当GaP膜厚较小时,膜系有较好的增透效果。