为了有效利用石墨烯和导电聚合物材料, 光雕石墨烯/聚3, 4-乙撑二氧噻吩(LSG/PEDOT)复合薄膜通过一种灵巧的光雕工艺制备出来。在此复合薄膜中, 每种组分对薄膜的电化学性能提升都有独特的贡献。循环伏安、交流阻抗及恒流充放电测试用来检测薄膜的电化学性能。结果显示, 在引入PEDOT纳米颗粒后, LSG/PEDOT复合薄膜显示出更好的能量存储能力。复合薄膜的比容量达到64.33 F/cm3, 是光雕石墨烯比容量(3.89 F/cm3)的20倍, 复合薄膜经过1000次循环后仍能保持初始容量的94.6%。复合薄膜电化学性能的提升主要是由于引入的PEDOT纳米颗粒既阻挡了石墨烯的层层堆叠, 又增加了整个薄膜的比表面积。此种灵活的光雕工艺还可以用来大规模制备超级电容器电极。

采用LB 膜诱导沉积法制备聚(3, 4)乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物薄膜。实验表明，聚(3, 4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(PEDOT-PSS)纳米粒子对单分子层具有包裹作用，形成了稳定的复合单分子膜；二次离子质谱(SIMS)和小角X 射线反射(XRR)分析表明十八胺-硬脂酸/聚(3, 4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOTPSS)组装体优于十八胺/聚(3, 4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺ODA/PEDOT-PSS，具有更好的成膜性能，表面粗糙度小且稳定可控，薄膜具有较好的有序结构。设计了不同的测试结构，测量了复合膜的垂直电导率和水平电导率，研究了薄膜的直流电流－电压特性，采用变程跳跃模型(VRH)对结果进行了拟合，表明三维变程跳跃模型(3D-VRH)可以较好的解释多层膜中载流子的迁移。

首次采用LB 膜诱导沉积法制备PEDOT 高度有序导电聚合物薄膜，所采用的工艺是将十八胺(ODA)与聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)先形成ODA 包裹PEDOT-PSS 纳米粒子的组装体，然后再将其铺展于气/液界面，制备PEDOT-PSS 复合LB 膜。研究了复合单分子膜在气/液界面的成膜性能，对不同层数的LB 膜进行了较为详细的微观分析和结构表征。采用UV-Vis 光谱对不同层数的复合膜进行了表征， 发现ODA-SA/PEDOT-PSS 膜具有比ODA/PEDOT-PSS 膜好得多的成膜性，这是由于生成的氨基酸改善了复合膜的成膜性；FT-IR 和XPS 分析表明固态复合膜中存在静电作用力，复合膜靠静电力在气/液界面进行组装。实验表明，PEDOT-PSS 纳米粒子对单分子层具有包裹作用，形成了稳定的复合单分子膜；在十八胺(ODA)和硬脂酸(SA)摩尔比2：1、亚相温度23℃、PEDOT-PSS 浓度1×10-3 mol/L、压缩速率5 mm/min、拉膜速率为1 mm/min 的条件下薄膜具有较好的成膜性能。

采用Langmuir-Blodgett(LB)膜静电诱导沉积法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物复合薄膜,研究了薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用。并将其应用于有机电致发光二极管(OLED)器件的空穴缓冲层,将聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)复合LB 沉积于纳米铟锡金属氧化物(ITO)电极上,制备了以复合LB 膜为空穴缓冲层的OLED 器件。发现复合LB 膜改善了器件性能(启动电压降低、最大亮度增加),但进一步的研究表明LB 膜器件在一定时间后出现性能劣化。I-V 特性和X 射线反射率(XRR)分析表明,薄膜的结构发生一定程度的改变是导致器件性能变差的可能原因。