作者单位
摘要
南京邮电大学电子与光学工程学院 微电子学院, 江苏 南京 210023
当金属-分布式Bragg反射镜-金属(M1-DBR-M2)结构中的DBR周期数比较大时, M1-DBR-M2中的两光学Tamm态(OTS)发生弱耦合。 通过研究M1-DBR-M2结构中OTS弱耦合情况下的反射光谱和OTS本征波长电场分布, 揭示了弱耦合情况下的OTS和光隧穿效应。 研究结果表明: 在弱耦合情况下, 金属薄膜M1的厚度影响了OTS的本征波长, 而金属薄膜M2的厚度对OTS的本征波长没影响。 虽然弱耦合情况下只能激发M1-DBR交界面处的OTS1, 但电场局域现象并不是仅仅发生在M1-DBR交界面处, 光可以穿过DBR到达并被局域在DBR-M2交界面处, 存在光的隧穿效应。 光隧穿效应的强弱与两OTS的本征波长失谐量大小有关, 本征波长失谐量越小, 光隧穿效应越强。 两OTS的本征波长失谐量的大小, 也影响了光在M1-DBR-M2结构中局域的强弱, 本征波长失谐量越小, 光的局域现象越强, 反射光谱中凹峰处的反射率越小。
光学Tamm态 弱耦合 金属-分布式Bragg反射镜-金属 Optical Tamm state Weak coupling Metal-DBR-metal 
光谱学与光谱分析
2020, 40(2): 650
作者单位
摘要
南京邮电大学电子与光学工程学院, 江苏 南京 210023
利用光学Tamm态(OTS)在金属-分布式布拉格反射镜(DBR)界面处的局域场增强和石墨烯的电控特性,提出一种基于OTS的石墨烯光调制器。利用有限元法和时域有限差分法对提出的调制器进行仿真研究。研究结果表明:当入射波长为850.7 nm时,在金属-DBR界面处会产生OTS,入射光的反射率比较低;当外加驱动电压大于7.5 V时,OTS的本征波长会发生漂移,入射光的反射率增大,可以实现强度调制。调制器的最大调制深度可达0.96,消光比为14.45 dB,在不考虑电路RC时间常数影响的情况下,调制速率超过600 GHz。该结构石墨烯光调制器在一定波长范围内,可以实现调制深度不同的光调制,在未来的光通信系统和光信息处理系统中具有很好的应用前景。
光通信 石墨烯 光学Tamm态 光调制器 
中国激光
2018, 45(11): 1106001

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!