华中科技大学 电子科学与技术系, 武汉 430074
采用Afors-het软件模拟分析了结构为TCO/a-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/a-Si∶H(p+)/Ag的p型硅衬底异质结太阳电池的性能, 研究了各层厚度、带隙、掺杂浓度以及界面态密度等结构参数和物理参数对电池性能的影响。通过模拟优化, 结合理论分析和实际工艺, 得到合适的各结构参数取值。采用厚度薄且掺杂高的窗口层, 嵌入本征层以钝化异质结界面缺陷, 合理利用背场对于少子的背反作用, 获得了较佳的太阳电池综合性能: 开路电压Voc为678.9mV、短路电流密度Jsc为38.33mA/cm2、填充因子FF为84.05%、转换效率η为21.87%。
异质结太阳电池 窗口层 本征层 背场 heterojunction solar cells window layer intrinsic layer back surface field
