利用含聚合物添加剂的前驱体溶液,通过重复甩胶镀膜-热处理工艺制备了PbZrB0.4BTiB0.6B0.6OB3(PZT)和BaTi0.9Sr0.1BO3(BST)铁电多层膜.在特定的波长范围,每个多层膜具有高达90%的光学反射率,且峰值反射率随生长次数的增加而增大.显微技术分析表明每个多层膜是由一系列厚度几乎相等的致密层和厚度也近乎相同的多孔层交替排列形成的一维周期性结构.重点分析了这种周期性结构的可能形成机理,它涉及相分离和高分子聚合物热解两个过程.

采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5～5.5 eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光谱仪于室温下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S. Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界点电子跃迁对ε(E)的贡献.结果表明:实验数据与模型吻合得非常好,E1和E1+Δ1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λv5→Λc6(或Lv4.5→Lc6)和Λv6→Λc6(或Lv6→Lc6)跃迁;E2跃迁是由于M1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和Δ轴方向.