氧化铟锡(ITO)导电膜具有电阻率低、透光性好、耐高温等优点,在光电领域具有重要应用。现有加工方法得到的ITO电极尺寸一般为10~200 μm,这限制了ITO电极在微纳领域的应用,为解决此限制,在传统湿法刻蚀方法的基础上,利用无掩模光刻技术对ITO玻璃表面光刻胶进行高精度曝光,再通过优化曝光、显影及刻蚀等过程,最终加工出尺寸仅为2 μm的电极。所提方法所加工的电极具有线性度高、无钻蚀、误差小等优点,为ITO电极在微纳领域应用开发提供了有现实意义的参考。

采用高温熔融法分别制备了Yb3+/ Ho3+, Yb3+/ Tm3+和Yb3+/Ho3+/ Tm3+共掺的碲酸盐玻璃。 在980 nm红外激光激发下, Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺的玻璃样品显示了强的蓝光、 绿光和红光发射, 分别对应于Tm3+的1G4 →3H6跃迁、 Ho3+的5F4(5S2)→5I8跃迁以及Ho3+的5F5→5I8和Tm3+的1G4 →3F4跃迁。 通过对比发现, Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺样品中的红、 绿光积分发射强度比值(3.95)明显大于Yb3+/Ho3+共掺样品(1.69), 这是由于Ho3+和Tm3+间存在交叉弛豫过程3H4(Tm3+)+5I6(Ho3+)→3F4(Tm3+)+5F5(Ho3+)和3F4(Tm3+)+5I8(Ho3+)→3H6(Tm3+)+5I7(Ho3+)所致。 在激发功率密度为8.2 W·cm-2时, Yb3+/Ho3+/Tm3+共掺样品的上转换发光色坐标值为x=0.345, y=0.338, 非常接近于等能白光(x=0.333, y=0.333)。