光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩，芯片制造工艺日益演进，迫切需要立足国内产业现状，开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装（DSA）光刻技术是一种基于热力学微相分离的图形化工艺，具有高通量、高分辨、低成本的特点。本文提出结合深紫外（DUV）光刻技术在引导图形的基础上开发应用于高端芯片制造，与产线兼容的亚十纳米DSA光刻技术，致力解决制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”工艺难题。基于此，从DSA机理、材料种类、图形设计、工艺兼容性（涂胶、退火、刻蚀）、成本、缺陷率、应用等方面系统讨论了该技术的发展潜力，并介绍了DSA光刻在300 mm先导线上实施所取得的最新研究进展，充分论证了DSA与DUV相结合的混合光刻技术应用于先进工艺节点的可操作性。最后，对该技术当前存在的挑战和机遇进行了总结与展望。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922027
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
X射线荧光全息术是一种新型的显微成像技术，它能在原子水平上直接观察到晶体内部的三维结构。然而它所得到的原子像存在明显的孪生像现象。因此，采用多重能量的全息记录来消除孪生像。分别以单个和多个铁原子为模型，数值模拟了它们在4π立体角范围内、不同范围的入射能量的情况下记录的全息图。比较由这些全息图重构得到的原子像，发现入射能量范围越宽，其消除孪生像的效果越好，而且随着入射能量的提高，其原子像的分辨力也越高。
X射线荧光全息术 同步辐射 晶体结构 傅里叶变换
