作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,北京 100083
阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性, 介绍了淀积反射率小于10-4的1310 nm半导体激光器端面增透膜技术, 并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。
电子回旋共振等离子体化学汽相沉积法 半导体激光器 增透膜 反射率 
光学学报
1999, 19(2): 235
作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所
提出了一种内反射耦合的单纵模半导体激光器模型。利用谐振放大器的原理计算了光谱特性。计算表明:如果选用适当腔长的激光器耦合,可以得到单纵模输出。
中国激光
1983, 10(10): 696
作者单位
摘要
中国科学院半导体研究所
中国激光
1977, 4(4): 15

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