设计并制备了结构为掺锡氧化铟(ITO)/氧化锌(ZnO)/纳米多孔硅柱状阵列(NSPA)/Si/Al 的纳米异质结发光二极管(LED)，实现了近白光电致发光(EL)。利用蒸气刻蚀技术，在P-Si表面制备NSPA层。对NSPA表面进行氧等离子体钝化处理，通过优化钝化参数改善了硅基NSPA的发光特性。在NSPA表面生长N型ZnO薄膜，得到ZnO/NSPA纳米异质结LED。实验结果表明，氧等离子体钝化处理能够有效地提高该器件的发光强度,并实现近白光发射。

采用离子辅助电子束蒸镀H4(H4是两种激光损伤阈值较高的材料氧化钛和氧化镧化合而成，分子式LaTiO3)薄膜。研究了氧气压力和基底温度对薄膜的光学性能的影响。实验发现，随着基底温度升高，H4膜的折射率n明显增加, 基底温度为100 ℃时，n808 nm=2.14；随着氧气压力的降低，H4膜的消光系数k变化很小，氧气压力为2.67×10-2 Pa时，在400 nm以上波段几乎没有吸收，k400 nm=2×10-4。将优化的工艺参数用于808 nm激光器腔面高反射膜的镀制，并与采用氧化钛作为高反射膜镀制的激光器进行了比较，获得的激光输出特性略好于氧化钛的器件。因此，采用H4制备半导体激光器高反射膜是一种完全可行的新方法。

利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现 a-Si:H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小。将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si:H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性。