提出了一种数学建模方法用来分析折叠半模基片集成波导（FHMSIW）结构的场分布。基于多线理论首次计算了FHMSIW结构的衰减常数和相位常数，验证其与传统波导和基片集成波导的等效性。提出了FHMSIW结构具有高通特性和带阻特性，同时该结构的上下层具有近似奇对称的性质。通过在FHMSIW结构的中间金属层蚀刻缝隙或者添加金属过孔，就可以实现器件由带通到带阻的性能转换，给出了FHMSIW结构带阻、带通特性的产生和变换机理。利用其独特的性质，分别设计了等效HMSIW四分之一谐振枝节加载的FHMSIW均衡器和FHMSIW带通滤波器，设计的FHMSIW均衡器无需附加额外的馈电机制。测量结果显示出器件具有良好的性能，与仿真结果具有很好的一致性。相比于其他的平面电路，该设计的结构具有小型化、低损耗以及高Q值等优势。

提出了一种新型的基于双枝节加载的T型四模谐振器，并且利用该谐振器设计了一款双模双通带带通滤波器。首先利用奇偶模分析法以及场分布分析法对四模谐振器的频率特性进行分析，谐振器的每一个谐振模式均可以被独立调节。然后对馈线枝节的参数进行了详细的分析，得到馈线对滤波器外部耦合系数的影响，以调整滤波器通带的带通宽度。接着分析滤波器传输零点产生的原因，得到零点变化的规律，从而调整零点位置，提高滤波器的选择性。缺陷地结构(DGS)被蚀刻在滤波器的金属层底面，以引入非谐振节点，提供源与负载的耦合，可以产生额外的传输零点，进一步提高滤波器的选择性，而且不会增大滤波器的体积。对该滤波器进行加工和测试，仿真结果与测试结果基本吻合。