1 山东科技大学 土木工程与建筑学院，青岛 266590
2 山东房源实业集团有限公司，临沂 276004
3 枣庄市金星爆破有限公司，枣庄 277021
为进一步研究爆破切口高度对小高宽比框架结构倒塌效果的影响规律，利用ANSYS/LS-DYNA有限元软件，通过建立分离式共节点钢筋混凝土框架结构模型，根据倒塌角理论，依次取倒塌角为20°、25°、30°、35°、35°(松动爆破)、40°。对6种不同爆破切口下结构的倒塌效果进行模拟，将数值模拟结果导入到后处理软件LS-PrePost中进行处理，将1 s作为时间间隔，以结构竖向塌落速度小于200 mm/s为倒塌完成时刻并与工程实际进行对比。研究结果表明：随着爆破切口高度的增加，积累能量也就越多，结构的后坐距离也不断增加，且增速呈上升趋势; 而爆堆高度和爆破切口的高度成反比，且随切口高度的增加逐渐趋于稳定。对爆破拆除小高宽比框架结构的类似工程要尽量避免过大的爆破切口高度，合适的爆破切口高度为上仰夹角在30°~35°。
框架结构 分离式共节点 爆破切口 数值模拟 爆破拆除 frame structure separated joints blasting cut height numerical simulation blasting demolition
1 西北核技术研究所, 西安 710024
2 强脉冲环境辐射模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
在直接数字式频率合成器(DDS)单粒子效应失效现象的基础上,研制了具备寄存器读写、功耗电流测试和输出效应波形捕获功能的DDS辐射效应在线测试系统,开展了DDS单粒子效应实验研究。结果表明,单粒子效应会导致DDS输出波形扰动,波形功能中断,功耗电流陡然增大。分析认为：DDS内部PLL模块发生单粒子瞬态和单粒子翻转,是引发波形扰动的主要原因; 内置DAC的主要功能寄存器翻转引发了输出波形功能中断; 电流增大是单粒子闭锁引起的。本项研究为国产DDS器件的加固和考核提供了一定的参考。
直接数字式频率合成器 单粒子效应 波形扰动 功能中断 direct digital synthesis single event effect waveform disturbance functional interruption 强激光与粒子束
2016, 28(10): 106005
针对90 nm和65 nm DDR(双倍数率)SRAM器件，开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、工作电压等不同试验条件对单粒子翻转(SEU)的影响和效应规律，并对现有试验方法的可行性进行了分析。研究表明:特征尺寸减小导致翻转截面降低，测试图形和工作电压对器件单粒子翻转截面影响不大；随着入射角度增加，多位翻转的增加导致器件SEU截面有所增大；余弦倾角的试验方法对于纳米器件的适用性与离子种类和线性能量转移(LET)值相关，具有很大的局限性。
纳米SRAM 单粒子效应 多位翻转 测试图形 倾角 nanometer SRAM single event effect multiple-cell upset test pattern tilt angle 强激光与粒子束
2013, 25(10): 2705
基于蒙特卡罗软件Geant4，探讨质子与硅的库仑散射和核反应及中子与硅的核反应产生反冲原子沉积非电离能量的过程，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程，模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算得到不同能量质子和中子在硅中因库仑散射和核反应产生反冲原子的非电离能量沉积及阻止本领的等效性，计算结果与中子ASTM标准及文献计算得到的质子数据符合很好。
中子 质子 硅 反冲原子 非电离能量阻止本领 neutron proton silicon recoil atoms non-ionizing energy stopping power
