提出了一种大功率半导体激光器光谱合束光栅仿真模型。该模型针对光谱合束中的核心器件光栅的光-热-应力变化特性进行了分析。数值分析结果表明，当激光巴条功率为200 W，自然对流系数为10 W·(m²·K)⁻¹时，衍射光栅上温度最高点可升高至346.52 K，应力最高点可升高至0.4825 Pa，光栅表面变量最高为52.28 nm/mm，这将会使得反馈光束中心位置发生0.25～0.3 mm的偏移，从而影响激光功率以及合束效率。减少衍射光栅基底厚度，在相同激光光源条件下工作，温度、应力、面形以及应变的变化均能有效抑制，这与实验结果具有较高的一致性。该方法为大功率半导体激光器的结构设计和光学器件的测试分析提供了有效的多物理场分析，为激光器设计和测试提供了综合分析数值模型。

聚醚醚酮(PEEK)由于其耐热、 耐腐蚀、 耐辐照、 抗疲劳、 电绝缘性等优良性能, 在许多领域可以代替金属、 陶瓷等传统材料而得到广泛应用。 特别是随着5G技术的发展和应用, PEEK已经成为5G热门材料。 在PEEK材料实际应用中, 温度的影响是一个非常重要和关键的因素。 主要研究了PEEK太赫兹光谱以及温度对PEEK太赫兹光谱特性的影响。 通过利用太赫兹透射光谱技术, 同时结合控温装置, 在温度从25~300 ℃均匀上升过程中, 每间隔5 ℃测试得到PEEK片状样品的太赫兹时域光谱数据, 利用光学参数提取算法可以得到PEEK的吸收系数、 介电常数等光学参数, 进一步得到特定频率下光学常数随温度的变化趋势, 从而对材料进行表征和分析。 在0.5~4 THz有效光谱范围内, 实验结果表明, 在常温(25 ℃)下, PEEK在3.5 THz具有一个明显的特征吸收峰。 在25~300 ℃这个温度范围内, 在1 THz频率下, PEEK的吸收系数、 介电常数相对于室温分别有4.38%和5.0%的波动, 同时PEEK在常温下在1 THz的介电损耗正切值为2.5×10^-3, 相比于PMMA和PE等高分子材料, PEEK的介电损耗正切值要低得多, 且在升温过程保持相对稳定, 表明PEEK在太赫兹频段的光谱特性具有很好的热稳定性和较低的介电损耗。 研究结果表明, 太赫兹光谱技术可以结合温控装置, 通过材料的光学参数对高分子材料热稳定性进行研究和表征, 同时还可以得到材料在不同温度下的介电性质。 太赫兹光谱技术具有快速、 高效、 无标记、 无损伤等优势, 只需要压片就可以对固体样品进行测试, 对于研究材料内部缺陷、 稳定性以及材料的鉴别等具有很好的研究意义。 同时本实验的测试数据可以为PEEK材料在不同温度下5G和6G等高频通信应用提供参考。