研究了AlGaN半导体p电极的Ni/Au/Ni/Au接触结构的性能和组织结构。退火 前，p电极接触具有明显的整流特性。经空气中550℃/3 min一 次退火和N2 气氛中750℃/30 s二 次退火后，电极呈现出了良好的欧姆接触。采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope, SEM)、透射 电镜(Transmission Electron Microscope, TEM)、能量分散谱仪(Energy Dispersive Spectrometer, EDS)和X射 线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)观察了电极退火后金-半界面微结构的演化过程。结果表明，完全退火后的p电极 界面及金属层出现了明显的互扩散和界面反应现象；金-半界面上形成了存在良好共格/半共格关系的外延结 构。初始沉积的金属电极分层现象消失，形成了单一的电极结构。Ni向外扩散并与O发生反应，Au扩散至p-GaN 表面。在金-半接触界面上，Ga扩散至金属电极，造成界面附近的金属层中富集Au和Ga元素；Au和Ni明显扩散 至半导体表层，在金-半界面附近形成了Au、Ga和Ni富集现象。这些现象应该对于降低势垒高度和形成欧姆接触具有重要作用。