作者单位
摘要
北京工业大学 激光工程研究院, 北京 100124
针对两种波长的直接高功率半导体激光堆栈, 为适应半导体激光在材料加工方面的需求, 设计一种双波长合束及长焦距光学系统。首先, 利用快慢轴准直镜对两种波长的激光堆栈进行初步准直, 然后, 用双波长合束镜将其合束。进而, 利用倒置开普勒望远系统原理对慢轴光束进一步扩束准直, 最终, 用快慢轴聚焦镜实现同步聚焦。利用光参数积原理对聚焦系统进行理论分析, 并根据瑞利长度公式计算出焦深。用ZEMAX软件对整个光路进行光线追迹, 得出模拟结果。根据理论分析和软件模拟, 开展相应实验。经合束和聚焦, 实现焦距300 mm, 焦点尺寸2.0 mm×4.0 mm的聚焦光斑, 输出功率5 000 W, 功率密度达104瓦级。最后讨论该系统影响因素。聚焦光斑可用于激光熔覆, 表面处理等工艺。
半导体激光堆栈 光束整形 光束聚焦 laser diodes stack ZEMAX ZEMAX beam shaping beam focus 
红外与激光工程
2018, 47(12): 1218003
作者单位
摘要
北京工业大学 激光工程研究院, 北京 100124
针对2 750 W直接大功率半导体激光堆栈输出的矩形光斑, 设计了一种长焦距光学系统用于激光材料加工。首先,对整形光路进行了理论分析, 利用倒置开普勒望远系统原理对慢轴光束进行扩束和准直, 再利用聚焦镜实现快慢轴同步聚焦。推导出了快慢轴聚焦光斑大小的公式并计算出焦深理论值, 分析了聚焦光斑大小的影响因素。接着, 用ZEMAX软件模拟了LD stack光源和整个光学系统并进行了光线追迹, 得到了模拟的光束变化形式及聚焦光斑尺寸。最后, 进行相应的实验验证, 实现了1.5 mm×4.0 mm的焦点光斑, 焦距250 mm, 焦深18.6 mm。讨论了整个聚焦光学系统性能的优缺点以及今后的改进方向。这种聚焦方法可以得到长焦距高功率密度聚焦光斑, 满足激光熔覆、表面处理等工艺对光源的要求。
半导体激光堆栈 光束整形 光束聚焦 LD stack ZEMAX ZEMAX beam shaping beam focus 
发光学报
2018, 39(8): 1107
作者单位
摘要
北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
以1.34 μm脉冲激光为基频光, Ba(NO3)2晶体作为拉曼晶体, 通过一阶受激拉曼散射效应, 产生1.56 μm一阶Stokes人眼安全激光的外腔拉曼激光器。基频光由以准连续激光二极管(LD)侧面泵浦Nd:YAP(掺钕铝酸钇)晶体, BBO(偏硼酸钡)晶体电光主动调Q产生。运用ABCDEF扩展矩阵论, 使用RP Resonator 软件计算光束半径随腔内位置的变化, 设计腔内元件位置, 提高拉曼转换效率。通过实验, 得到波长为1 344 nm, 重复频率为20 Hz, 脉宽为38 ns, 单脉冲能量为19.2 mJ时, 产生1 562 nm波长的一阶Stokes光, 最大单脉冲能量为1.83 mJ, 脉宽为9 ns, 基频光到一阶拉曼光的最大光光转换效率约为15.24%, 转换效率随着基频光脉冲能量的大小先增加后减小。
激光技术 外腔拉曼技术 人眼安全激光 RP Resonator 软件光学解析 Ba(NO3)2晶体 technology of laser extra cavity Raman eye-safe laser RP Resonator software Ba(NO3)2 crystal 
应用激光
2016, 36(2): 211
作者单位
摘要
北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
报道了基于TEC(半导体制冷器)温控的激光二极管(LD)侧面泵浦的脉冲Nd:YAP(掺钕铝酸钇)激光器, 采用BBO(β相偏硼酸钡晶体, β-BaB2O4)电光调Q, 腔内不加入任何偏振元件, 使用平平腔和平凹腔在重频20 Hz时分别得到了1.34 μm单脉冲能量12.00 mJ和11.45 mJ, 在平平腔结构下, 得到最短脉宽38 ns。实验还对平平腔结构下1.08 μm的输出特性进行了实验研究, 采用相同的平平直腔结构, 在重频20 Hz最高可获得1.08 μm单脉冲能量28.5 mJ, 脉宽27 ns。
激光技术 Nd:YAP激光器 电光调Q laser technique Nd:YAP laser 1.3 μm 1.3 μm E-O Q-switch 
应用激光
2015, 35(4): 508
作者单位
摘要
北京工业大学激光工程研究院, 北京 100124
报道了两种Nd:GdVO4主动调Q 被动锁模激光器,利用自锁模(KLM)和半导体可饱和吸收耦合输出镜(SOC)锁模两种不同的被动锁模方式,分别与电光(EO)主动调Q 元件相结合,获得了稳定的调Q 锁模脉冲。主动调Q 自锁模脉冲调Q 包络重复频率为3 kHz,包络脉宽约1.2 μs,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约963 ps。主动调Q SOC 锁模脉冲调Q 包络重复频率为10 kHz,包络脉宽约300 ns,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约491 ps。分别提出了自锁模等效快饱和吸收体损耗和SOC 的非线性损耗表达式,并给出了主动调Q 自锁模激光器和主动调Q SOC 锁模激光器的速率方程组。对比了两种主动调Q 被动锁模激光器的输出特性,结合速率方程,提出了主动调Q SOC 锁模受到两种锁模方式的叠加作用。
激光器 调Q 锁模激光 电光调Q 自锁模 半导体可饱和吸收耦合输出镜 
激光与光电子学进展
2015, 52(12): 121403

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