为了研究高温目标在短波红外波段内的发射率光谱特性以及发射率与温度的关联规律,以高温石墨板为例在暗室环境中使用光谱仪测量其辐射亮度及使用热电偶测量其表面温度,并基于黑体辐射定律获取高温石墨板在9组不同温度下短波红外波段(1300~2500 nm)的光谱发射率,同时采用方差分析方法对不同温度分组下发射率的差异进行分析。实验结果表明,不同温度下发射率光谱曲线的形态基本一致,发射谷和发射峰分别在2200 nm和2380 nm的波长处;随着温度的升高,发射率呈降低趋势;在信度为0.05的情况下,不同温度分组的发射率差异显著;发射率随温度变化显著,在559~855 K的温度范围内发射率从0.77~0.83降低至0.62~0.70,变化规律可用线性模型进行拟合,确定系数均大于0.87。

提出了一种锑化铟红外焦平面器件盲元分析方法。利用该方法，无需将器件背面减薄就能进行盲元测试与分析。基于这种封装方式，将器件倒置后，从芯片正面吸收光的照射，在互连、灌胶以及每一步磨抛工艺步骤后均可进行测试和分析。结果表明，该方法能够有效地分析和定位每步工序过程中产生的盲元情况，可解决现有技术手段中对红外焦平面器件因产生盲元导致像元失效而无法准确定位其出现在哪步工艺的问题。

介质阻挡放电因其体积小、 结构简单、 能耗低、 工作温度低、 样品解离/激发能力强等显著特点, 特别适合于分析仪器的微型化和便携化。 目前, 基于介质阻挡放电的原子化器或激发光源已成功应用于原子吸收光谱仪、 原子荧光光谱仪和原子发射光谱仪中, 促进了小型化原子光谱仪器的发展。 总结了介质阻挡放电技术在原子光谱领域内的研究进展, 着重阐述了介质阻挡放电-原子发射光谱系统在不同进样方式下的应用情况, 分析了每种进样方式的优缺点。 本文还对介质阻挡放电技术在诱导蒸气发生、 固体直接进样方面的新应用方向进行了评述。 虽然介质阻挡放电技术已在原子光谱领域内得到广泛的应用, 但其反应机理仍然不明确, 制约了其后续的拓展研究。

为了研究激光冲击次数和冲击能量对TC17钛合金微观组织和表面硬度的影响, 采用不同的工艺参量对TC17钛合金进行了激光冲击强化处理。TC17钛合金在激光冲击后, 表面形成了剧烈塑性变形和高密度位错, 冲击过程中位错发生增殖、塞积、缠结等现象, 单脉冲冲击形成的微凹坑的深度最大可达21.4μm; 脉冲能量为5J、搭接冲击次数从1次增加到4次时, 材料的表面硬度相比母材的增幅分别为8.3%,17.2%,24.3%和24.5%;5J和7J冲击1次时,表面硬度相比母材增幅分别达8.3%和14.2%。结果表明, 随着冲击次数和脉冲能量的增加, TC17材料表面硬度随之增加, 激光冲击强化使材料表面产生高密度位错, 这是其表面硬度增加的关键原因。

由于臭氧层逐渐变薄, 到达地球表面UV-B辐射不断增加, 因UV-B辐射改变的太阳光谱将会对陆地植物造成不同程度的伤害。 本试验以高粱龙杂5为材料, 对二叶一心高粱进行四种剂量UV-B处理, 恢复2 d采用光合仪测定光合参数, 并取样测定抗氧化酶活性。 随着UV-B剂量的升高, 高粱叶片褐化损伤加重, 植株矮化, 鲜重和干重显著降低； 花青素含量显著升高, 叶绿素和类胡萝卜素含量显著减少, 净光合速率和叶绿素荧光参数显著下降。 同时, 随UV-B剂量升高, 高粱幼苗气孔导度、 胞间CO2浓度和蒸腾速率表现为“降-升-降”变化； POD和CAT活性呈现“降-升-降”变化； SOD和GR活性呈现“降-升”变化, APX和GPX呈现“升-降-升”变化。 在供试的四种剂量中, UV-B处理6 h（相当2.4 J·m－2）的高粱幼苗净光合急剧下降, 其他光合指标以及抗氧化酶活性也表现出明显转折。 结果表明, 增强的UV-B辐射直接导致高粱光合色素、 净光合速率和叶绿素荧光参数的改变； 高粱抗氧化系统对高、 低剂量UV-B响应机制不同, 其中 ASA-GSH循环对低剂量UV-B反应更敏感, 高剂量UV-B辐射不仅破坏高粱光合作用, 而且启动植物酶促和非酶抗氧化系统, 导致叶片褐化坏死, 植株生物量累积减少、 株高矮化, 甚至死亡。