采用化学水浴沉积法制备了半导体薄膜硫化镉(CdS)太阳能电池材料 , 对影响成膜的因素以及薄膜的结构和光学性能进行了初步测试研究。 结果表明, 反应溶液的pH值以及薄膜的退火温度是影响成膜的重要因素。实验中pH值范围控制在10.5～10.8之间，最佳退火温度为400°C。另外退火时滴加CdCl2 溶液并将其涂 抹于薄膜表面，可以使薄膜在可见光范围的透过率得到进一步的提高。
CdS薄膜 太阳能电池 化学水浴沉积法 光学性能 CdS thin-film solar cell chemical bath deposition optical property
