中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海 200050
提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。采用有限差分光束传播法(FD-BPM)方法对开关的各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参量进行了优化设计,采用优化后的结构参量,开关可实现的最大消光比达到-17.27 dB。
集成光学 多模干涉耦合器 光开关 全光网络
哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨,150001
用X射线电子能谱仪(XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2薄膜进行测试,得到VO2薄膜内部组成成份的信息.研究了获得高含量VO2薄膜的最佳制备参量.同时还观察到V2O3、VO2、V2O5以接近含量共存的现象,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2O3、VO2、V2O5中的两种组成的结论有所不同.
磁控溅射 二氧化钒 制备参量
哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨 150001
从理论和实验两个方面对强磁场中钾D2线法拉第反常色散滤波器的特性进行了研究,在不同工作条件下,获得线芯和线翼两种工作方式的法拉第反常色散滤波器,并讨论了温度对其滤波特性的影响.
钾 线芯工作方式 线翼工作方式 滤波特性
哈尔滨工业大学光电子技术研究所,哈尔滨 150001
分析了处于夫琅禾费暗线的Sr460.7nm法拉第色散光学滤波器线翼和线芯工作的滤光特性,研究了磁场、温度和池长对滤波特性的影响,讨论了在其最佳的工作条件下,线芯透射率为95％,线宽为1.47GHz。
法拉第色散效应 超窄带滤波 夫琅禾费暗线
