利用X箍缩等离子体产生的μm级、亚ns脉冲X射线点源对双丝电爆炸过程进行了X射线背光照相，结果表明：真空环境下爆炸丝通常形成“核冕”结构，即高密度丝核表面围绕着低密度冕等离子体；随后在全局磁场驱动下，冕层将被连续剥离并向轴线汇聚，形成“先驱等离子体”，大大降低丝阵的内爆品质。针对上述问题，进一步对实现“无核丝爆”(提高丝核沉积能量实现金属丝的均匀汽化)的方法进行了研究。实验结果表明：提高驱动电流上升率以及在金属丝表面构造正向径向电场均有利于丝核沉积能量的提高。结合上述两种方法，提出了阴极串联闪络开关的电极构型，大幅度提高了丝核沉积能量：正负极性驱动电流下比能量分别提高到原来的2倍(从5.7 eV/atom到13 eV/atom)和3.5倍(3.4 eV/atom到12 eV/atom)，均超过了钨丝汽化能(8.8 eV/atom)，且激光干涉图像表明爆炸产物具有很高的汽化率，即实现了“无核丝爆”。

研究了X-pinch和回流柱之间的分流关系，以及两个X-pinch之间的分流关系。在X-pinch和回流柱的分流实验中，X-pinch上的电流与回流柱上的电流大体相等，这表明电流分布不只与X-pinch或回流柱的特性有关，而且也与它们所在回路的其他部分有关。在两个X-pinch之间的分流实验中，X-pinch上的电流与X-pinch本身的材料和直径几乎无关，这确认了电流分布与回路中X-pinch之外的部分有关。离绝缘柱远的X-pinch上的电流总是比离绝缘柱近的X-pinch上的电流略大一些，这是并联回路之间的互感造成的。

基于X-pinch软X射线辐射点源对直径10 μm钨丝单丝以及8 μm钨丝双丝电爆发展过程进行了背光成像研究，实验平台为清华大学电机系研制的脉冲功率装置PPG-1(500 kV/400 kA/100 ns)。成像光路安排为: 作为X射线源的X-pinch和作为目标物的钨丝分别安装在装置的输出主电极阴阳极之间和回流导电杆处，成像胶片采用高分辨率、高灵敏度的X光胶片。利用自行设计的电流传感器和罗氏线圈对目标物实际流过的电流进行监测，从而计算得8 μm钨丝丝爆过程中电导随时间变化的曲线。为了观测电爆金属丝质量密度分布的演变过程，设计了μm级厚度的阶梯光楔。通过大量成像实验，获取了丝芯膨胀、晕层等离子体形成及其向外扩张等过程的相关物理图像以及基于原始胶片绘制的质量密度分布图。

基于一台紧凑型脉冲电流发生器，对小型X箍缩进行了初步的实验研究。当改变X箍缩双细丝的直径和材料时，流过负载的总电流几乎不变，这表明双细丝阻抗远小于负载的总阻抗。使用这些细丝，X箍缩均能辐射X射线，但随着细丝质量的增大，X射线辐射时刻相对于电流起始时刻的延迟逐渐增大,X射线脉冲通常为亚纳秒脉宽的单峰或几乎重叠的双峰。对于小质量的细丝负载，若驱动电流足够大，时常观察到时间间隔较长的两个X射线脉冲，并被确认为二次箍缩所致。

基于X箍缩软X射线辐射点源对单丝及多丝Z箍缩发展过程进行了背光成像研究，实验平台为清华大学电机系研制的脉冲功率装置PPG-Ⅰ（500 kV/400 kA/100 ns）。成像光路安排为：作为X射线源的X箍缩和作为目标物的单丝或多丝（双丝）Z箍缩分别安装在装置的输出主电极阴阳极之间或回流导电杆处，成像胶片采用高分辨力、高灵敏度的X射线胶片。利用自行设计的电流传感器和罗氏线圈对目标物实际流过的电流进行监测。为了测定目标物金属细丝的质量消融率，设计了μm级厚度的阶梯光楔。通过大量成像实验，获取了Z箍缩等离子体融合、先驱等离子体形成及不稳定性发展等过程的相关物理图像以及质量消融率、丝芯膨胀率等重要定量参数。