何鹏 1,2吴晓川 1安康 2邓刚 3[ ... ]冯鹏 1,2
作者单位
摘要
1 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室, 重庆 400044
2 重庆大学工业CT无损检测教育部工程研究中心, 重庆 400044
3 重庆大学生物流变科学与技术教育部重点实验室, 重庆 400044
4 天津大学精密仪器与光电子工程学院, 天津 300072
X射线光子计数探测器是多能谱CT成像技术的核心, 其通过能量阈值可以选择记录不同能量的X射线光子, 有助于分析不同材质的物理特性。 利用搭建的基于光子计数探测器的多能谱CT系统, 开展高纯度金属材料K-edge特性识别实验研究。 通过设置探测器的不同能量阈值, 在不同能量范围获取金属材料投影图像, 利用投影图像灰度信息分析不同能量X射线的衰减特性, 以识别金属材料K-edge特性。 最终实验结果表明, 基于光子计数探测器的X射线能谱CT系统, 能够识别金属材料与特定能量X射线光子发生相互作用所表现出的K-edge特性。 通过计算K-edge特征峰能量阈值与材料K-edge理论能量值之间的线性对应关系, 对光子计数探测器的能量阈值进行了标定。
光子计数探测器 多能谱CT K-edge特性 能量阈值 投影图像 Photon-counting detector Spectral CT K-edge characteristics Energy threshold Projection image 
光谱学与光谱分析
2018, 38(12): 3929
作者单位
摘要
重庆光电技术研究所,重庆 400060
硅片背面磨削减薄工艺中,机械磨削使硅片背面产生损伤,导致表面粗糙,且发生翘曲变形。分别采用粗磨、精磨、精磨后抛光和精磨后湿法腐蚀等四种不同背面减薄方法对15.24cm(6英寸)硅片进行了背面减薄,采用扫描电子显微镜对减薄后的硅片表面和截面形貌进行了表征,用原子力显微镜测试了硅片表面的粗糙度,用翘曲度测试仪测试了硅片的翘曲度。结果表明,经过粗磨与精磨后的硅片存在机械损伤,表面粗糙且翘曲度大,粗糙度分别为0.15和0.016μm,翘曲度分别为147和109μm;经过抛光和湿法腐蚀后的样品无表面损伤,粗糙度均小于0.01μm,硅片翘曲度低于60μm。
硅晶圆 背面减薄 损伤 抛光 湿法腐蚀 silicon wafer backside thinning damage layer chemical mechanical polishing wet etching 
半导体光电
2015, 36(6): 930

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