1 江苏技术师范学院 电信学院, 江苏 常州 213001
2 西北大学 信息科学与技术学院，西安 710127
采用溶胶凝胶法成功制备了SrTiO3∶Pr3+、SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉.通过XRD、PL谱及第一性原理计算对样品的晶体结构、光谱特性及发光增强机制进行了研究.研究结果表明：共掺杂后，SrTiO3∶Pr3+荧光粉为单一组成的SrTiO3立方相，主发射锋位于617 nm, 对应于Pr3+离子的1D2→3H4跃迁发射.SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉的发光强度分别是SrTiO3∶Pr3+荧光粉发光强度的7倍和2倍，但主要发光机制没有改变.Mulliken布局分析表明，Mg2+、Al3+离子的掺入使SrTiO3∶Pr3+荧光粉中Ti-O及Pr-O键的化学键增强、键长变短，SrTiO3∶Pr3+基质向Pr3+离子发光中心的能量传递效率提高，导致SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉的发光效率提高.
溶胶-凝胶 第一性原理计算 共掺杂 发光效率 SrTiO3∶Pr3+ SrTiO3∶Pr3+ Sol-gel method First principles calculation Co-doping Luminescence efficiency
用硝酸锌（Zn（NO3）2·6H2O）与六亚甲基四胺（C6H12N4）以等浓度配制成反应溶液，通过水浴法制备出了形貌可控的棒状ZnO纳米结构，讨论了不同反应浓度及衬底对ZnO表面形貌的影响.样品的XRD和扫描电子显微镜分析结果表明，所得产物均为六方纤锌矿结构，在有晶种层的衬底上制备出的ZnO纳米棒沿（001）方向并垂直于衬底表面生长.随着反应浓度的增加，ZnO纳米棒的直径增大，长径比减小.样品的场发射性能测试表明，反应溶液浓度为0.005 mol/L，以铜膜为晶种层的硅衬底上制备出的场发射阴极具有较好的场发射性能.
水浴法 ZnO纳米棒 晶种层 场发射 Water bath method ZnO nanorods Seeded layer Field emission
1 西北大学 信息学院，西安 710127
2 中国科学院西安光学精密器械研究所，西安 710119
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si(111) 衬底上，在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜；XPS分析其表面，结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在，且Ga：N约为1：1；PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构 GaN flims Sol-gel Hexangularwurtzite structure
1 中国科学院西安光学精密机械研究所，西安 710119
2 西北大学 信息科学与技术学院，西安 710069
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响，当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时，薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400 nm左右减小到40 nm左右.
纳米晶体 SiC薄膜 氢气流量 Nano-crystalline SiC thin film HFCVD HFCVD Hydrogen flow rate
1 西北大学,信息科学与技术学院,西安,710069
2 西北大学,光子所,西安,710069
将Ni(NO3)2-Mg(NO3)2体系作为催化剂前驱体,在不同气源比例下用CVD催化裂解法制备纳米碳管,用SEM、TEM和喇曼光谱对其进行了表征和分析,制备出完整性好的纳米碳管.再用两种工艺和配方制备其场发射阴极,对阴极样品进行了场发射性能测试.结果表明,经过氢处理在Si基上制备的CNT阴极发光效果好,且具有良好的场发射性能.
纳米碳管 场发射阴极 氢等离子体表面处理 Carbon nanotube Field emission cathode Hydrogen plasma treatment
1 延安大学物理与电子信息学院, 延安 716000
2 西北大学信息科学与技术学院, 西安 710069
计算了ZnO电子结构和光学线性响应函数,从理论上给出了ZnO材料电子结构与光学性质的关系。所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。利用精确计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的ZnO材料的介电函数、反射谱、反射率以及消光率,理论结果与实验符合甚佳,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也为精确监测和控制ZnO材料的生长过程提供了可能性。
光学材料 光学性质 电子结构 密度泛函理论 第一性原理
