1 四川大学 物理科学与技术学院 物理系，四川 成都 610065
2 绵阳师范学院 物理系，四川 绵阳 621000
3 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，北京 100083
分析了非掺GaSb材料及在GaAs衬底上用分子束外延生长掺杂Te的GaSb薄膜材料的缺陷特性，主要应用正电子湮没多谱勒展宽谱方法，并结合原子力显微镜和X射线衍射测试进行.多谱勒展宽谱研究表明，采用分子束外延法生长的掺杂Te的n型半导体GaSb薄膜材料的S参数比体材料小，所得缺陷主要是单空位与间隙原子，而几乎无复合体的缺陷类型.
原子力显微镜 正电子湮没 X射线衍射 atomic force microscopy (AFM) positron annihilation X-ray diffraction
1 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心,绵阳 621900
2 四川大学 物理科学与技术学院,成都 610065
3 中国科学院 高能物理研究所,北京 100049
以北京同步辐射装置的4B7中能束线为光源,对RAP（邻苯二甲酸氢銣）晶体的积分衍射效率进行了实验标定.结果显示:晶体在不同能量段都得到了完整的衍射峰,扭摆曲线的光滑性和对称性较好,在偏离布喇格角以后衍射效率都迅速下降到本底量级.在2.1~5.8 keV范围内,晶体的积分衍射效率在1×10－4rad左右.
平晶谱仪 RAP晶体 积分衍射效率 扭摆曲线半峰全宽 激光等离子体 X射线光谱 Planar crystal spectrometer RAP crystal Integral diffraction coefficient Full width at half maximum of rocking curve Laser-produced plasma X-ray spectrum
1 四川大学,物理科学与技术学院,成都,610065
2 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
3 中国科学院,高能物理研究所,北京,100049
以北京同步辐射实验室4B7中能束线为光源,在2.1～6.0 keV的范围内对邻苯二钾酸氢铊(TlAP)平面晶体一、二、三级衍射的积分衍射效率进行了精确的实验标定.标定结果表明:TlAP晶体有较高的峰值衍射率; 其一级衍射的积分衍射效率向低能端有增加的趋势,而在2.6～5.4 keV的范围内大约为1.53×10-4 rad;随着衍射级次的提高,衍射效率逐渐减小,二级衍射的积分衍射效率约为一级衍射效率的1/4,三级衍射结果比一级衍射下降一个量级.实验所标定的TlAP晶体可用于平晶谱仪对激光等离子体X射线光谱的定量分析.
X射线 晶体 标定 扭摆曲线半高宽 积分衍射效率 强激光与粒子束
2007, 19(11): 1827
