二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法，并利用氯化钠辅助生长，通过调节硫粉和硒粉的质量比，在SiO₂/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_2（1-x）Se_2x合金，光致发光峰位置在678（~1.83 eV）~813 nm（~1.53 eV）范围内变化。连续生长的大面积单层MoS_2（1-x）Se_2x （x=0.25）合金的横向尺寸可达到200 μm。为了研究MoS_2（1-x）Se_2x合金的光电特性，使用了大面积生长的单层MoS_2（1-x）Se_2x （x=0.25）合金制备了场效应晶体管。光电测试结果表明，520 nm激光照射下的单层MoS_2（1-x）Se_2x（x=0.25）场效应晶体管响应度达到了940 mA·W^-1，检测率为5.32×10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1，快速响应时间为8 ms。

以粒径为270 nm的SiO2微球胶体晶体作为模板, 向其中填充过量单体MMA, 热聚合后形成SiO2/PMMA复合结构光子晶体, 将此光子晶体浸泡入浓度为20%的HF溶液中, 刻蚀半小时后得到脱离ITO玻璃基板的柔性PMMA反蛋白石结构薄膜.该薄膜为周期有序的三维多孔结构, 孔径大小均一, 约为210 nm, 外观蓝紫色与测试得到的带隙位置相对应.分析其微观形貌可知, 对模板的过量填充产生了一层附着于胶体晶体上表面的PMMA致密层, 致密层与其下层PMMA反蛋白石结构骨架在热聚合过程中由于体积收缩产生一定的应力差, 使反结构薄膜自发从原基板脱离, 从而获得柔性反蛋白石结构光子晶体.该薄膜可用于柔性光子晶体器件的制备.

利用传输矩阵法对一维三元光子晶体异质结构的光学特性进行了研究, 讨论了介质层厚无序度对三元结构光子禁带的影响.研究表明, 将具有相互交叠光子禁带的一维光子晶体叠加构成异质结, 可以有效地增大全角度反射的频率范围, 当入射角从0°增大到89°, 该结构均可实现从0.410w/w0到0.654w/w0宽频波段的全反射；相对于二元结构, 三元结构可以减小在实际制作过程中随机误差引起的介质层厚无序对光子带隙的影响.该研究结果可为实现可见光及红外光波段大角度反射器的制备及应用提供理论支持.

利用传输矩阵方法， 研究了一维电介质-金属光子晶体的光学传输特性和金属层内的电场分布情况。 计算结果表明， 通过引入增透膜和优化结构参数， 可以明显改变电介质-金属光子晶体的光学性能： 在19%透射率的情况下， 金属层内的平均电场相对于入射光场可以达到77%； 而在金属层内平均电场相对入射光场为28%的情况下， 可得到72%的透射率。 这种可显著增强金属层内电场分布并且透射率、 金属层内场强可调的光子晶体结构有望在非线性光子器件中得到重要应用。

Cu₂O particles cube with ordered pores are electrodeposited by using colloidal crystal template method. The shape of Cu₂O cube particle is partly determined by its growing habit. Therefore, Cu₂O cube particles with ordered pores are fabricated instead of three dimensional inverse opal structures.