采用等离子体化学气相沉积法在硅基底上沉积氧化硅薄膜, 研究在不同工艺条件下薄膜的应力变化情况和折射率分布规律.利用应力测试仪测定晶圆在镀膜前后的形变量进而获得应力值, 并用棱镜耦合仪测试薄膜折射率.在其他条件相同的情况下, SiH4与N2O的流量比分别设为24、27.6和30时, 在1 539 nm波长下薄膜平均折射率分别为1.466 7、1.459 2和1.455 7, 对应的晶圆应力向着压应力增加, 分别为-50 MPa、-200 MPa和-430 MPa.掺入8.3×10-7 m3/s GeH4后, SiH4与N2O的流量比分别设为22.6、24和27.6时, 薄膜平均折射率分别为1.475 8、1.471 4和1.463 3, 对应的晶圆应力分别为25 MPa、-210 MPa和-270 MPa, 是从拉应力向压应力变化的过程.结果表明, SiH4与N2O的流量比相同时, 掺入GeH4后折射率和对应的压应力明显增加.因此, 通过对工艺条件的合理选择, 可制备出折射率稳定的氧化硅波导薄膜, 从而提高器件在整个晶片上的成品率.