根据现有的材料参数,计算了In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是GaAs材料的5倍以上,但其特征温度可接近500 K。
InGaN量子阱激光器 增益计算 阈值电流
在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过Ｘ射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿［0001］方向生长;在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕〈1120〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕〈1120〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。
Al2O3(0001)衬底 晶格匹配
