采用基于密度泛函理论第一性原理超软贋势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质, 分析了P掺杂对Ca2Si的能带结构、电子态密度、光学性质的影响.计算结果表明: 掺入P后Ca2Si的能带向低能方向偏移, 禁带宽带为0.557 95 eV, 价带主要由Si的3p, P的3p以及Ca的4s、3d电子构成, 导带主要由Ca的3d电子贡献.通过能带结构和态密度分析了P掺杂正交相 Ca2Si的复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱和能量损失函数, 结果表明P掺杂增强了Ca2Si的光利用率, 说明掺杂能够有效改变材料电子结构和光电性能, 为Ca2Si材料光电性能的开发、应用提供理论依据.
电子结构 光学性质 第一性原理 掺杂 Electronic Structure Optical Properties First Principle Ca2Si Ca2Si Doped
