中国兵器工业集团第五三研究所, 山东 济南 250031
采用蒙特卡罗理论模拟加速电子在氮铝镓晶体薄膜中的运动轨迹,研究加速电压与高能电子所能达到样品深度的数学关系,并通过紫外可见光透射法获得晶体薄膜的光学厚度。根据理论模拟结果,选择合适于本样品的加速电压、电流与电子束直径等实验条件,电子探针波谱法测定AlxGa1-xN薄膜中铝元素含量,由两个电子探针实验室进行分析,每个实验室测量6个样品,共12个样品。从重复性测量、X射线强度、物理参数、校准用标准物质及仪器检测限等因素,对电子探针波谱法测量AlxGa1-xN薄膜材料中铝含量的测量不确定度进行分析。研究结果表明电子探针波谱法测量AlxGa1-xN晶体薄膜组分(x=0.8)的相对测量不确定度为2.7×10-2,包含因子k=2。
薄膜 氮铝镓 电子探针波谱法 测量不确定度 蒙特卡罗法
中国兵器工业集团公司第五三研究所, 山东 济南 250031
采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3 nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772 eV,认为其弯曲因子在1.0 eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。
薄膜 AlGaN外延膜 光致发光 弯曲因子 CASTEP软件 激光与光电子学进展
2012, 49(5): 051601