中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室,北京100083
利用全矢量的三维时域有限差分法,分析了一种金属银复合结构的反常透射增强效应.该结构是在一层打有六角排列的圆孔阵列的金属银层的上方放置一层六角排列的银圆环阵列构成.与普通的单层银打孔阵列相比，该结构明显具有更高的透射峰值和更窄的透射带宽.系统分析了结构的场强分布、坡印廷矢量能流分布图、透射峰的频率色散关系，结果表明该复合结构激发的更强的独特的表面等离激元模式主导了整个透射过程.
亚波长结构 反常透射效应 表面等离激元 时域有限差分法 subwavelength structures extraordinary optical transmission surface plasmons finite difference time domain method
中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室, 北京 100083
在(In,Ga)As缓冲层中生长的Ga0.95Mn0.05As薄膜的磁光圆二向色性(MCD)扫描磁场的测量中发现异常现象, 这一现象出现在外磁场把样品的磁化矢量扭转到与入射光方向一致或远离入射光方向之时.通过磁各向异性的平均场理论, 我们认为这实际上是磁各向异性对带-带跃迁影响的表现, 是由于空穴带劈裂和E-k色散关系均与磁化方向相关而引起的.
磁光效应 振荡 磁各向异性 (Ga (Ga Mn)As Mn)As magneto-optical effect oscillation magnetic anisotropic
中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ-Ⅴ特性上的响应.当单元偏置在光存储模式下,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃.利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应,验证了"开→关"光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程.其时间常数是光存储时间的一种度量,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ-Ⅴ特性的反映.
光子存储 光伏效应 Ⅰ-Ⅴ特性 photonic storage photovoltaic effect Ⅰ-Ⅴ curves
