研究和分析了温度对GaAlAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。Ith变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×104小时以上。还研究了自脉动和功率扭折现象等。

半导体激光已20年了。回顾20年来半导体激光的发展历程,展望未来,是很有意义的。

本文报告我们研制成功的室温连续工作的可见光GaAlAs半导体激光器。发射的波长约7600且,所有电光参数跟红外光GaAs-GaAlAs双异质结激光器基本上一致。

本文叙述了对称型GaAs-GaAlAsP双异质结激光器偏振特性的实验研究,分析了这种半导体激光器的模式竞争过程。实验证明。半导体激光器外加电流低于阈值时,只有自发辐射,不呈现光的偏振特性;高于阈值时,对于d=0.15～0.40μ的有源层激光器,通常只有基摸振荡,而且TE模起支配作用,偏振的选择取决于模的谐振腔镜面反射率R_0,而TM模在阈值时就达到饱和,高于阈值的电流都用于加强TE模偏振。当有源层厚度d>0.40μ时,会出现TE模和TM模、基次模和高次模之间的竞争,TE模的增强会导致TM模的削弱,或TE模的减弱提供TM模的增强。在这种情况下,偏振的选择要由光的限制因子Г和镜面反射率R_m一起决定,TE、TM模和基模、高次模都有可能出现。此外,偏振特性的好坏还与激光器有源层内部晶体缺陷、非均匀性结晶和注入载流子的分配比密切相关.

本文报告GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器制造中,用两种液相外延方法把三元系Ga1-xAlxAs变成四元系Ga1-xAlxAs1-yPy.用X射线衍射仪测试结果表明:最佳的GaAS-Ga1-xAlxAs1-yPy异质结晶格失配可减至1×10-5,相应的失配应力为1.4×107达因/厘米2.用扫描电子显微镜显示结界面很平整.此法大大改善了异质结的制造质量,可望获得高效率长寿命的双异质结激光器.