1 清华大学 精密仪器系 光子与电子技术研究中心 摩擦学国家重点实验室，北京 100084
2 西安电子科技大学 技术物理学院，西安 710071
针对半导体侧面抽运固体激光晶体的温度分布问题，使用类高斯的非均匀发热模型，对LD侧面抽运棒状固体激光介质的温度分布问题进行了计算，推导并最终得到了侧面抽运情况下棒状激光晶体内温度分布的近似解析表达式。与以往的报道相比，所使用的类高斯发热模型比均匀发热模型更符合激光器的实际工作情况，使用该模型计算温度分布将得到更为精确的结果。
激光器 侧面抽运 温度分布 激光晶体 半导体激光器 lasers side pump temperature distribution laser crystal LD
1 清华大学 精密仪器系 光子与电子技术研究中心，北京100084
2 西安电子科技大学 技术物理学院，西安 710071
3 西南技术物理研究所，成都 610041
为解决激光晶体传导冷却与输出光束能量分布对称性之间的矛盾，针对半导体激光器(LD)抽运高功率固体激光器，提出了半环形侧面对称抽运的方式。对多LD阵列同时抽运激光晶体的吸收与增益情况进行了计算，并在实验中予以验证，采用半环形对称抽运的方式，在20Hz的工作频率下，以总抽运单脉冲276mJ的能量获得最大63．6mJ的圆形对称脉冲激光输出，斜效率34%。实验结果表明，采用对称抽运结构能够有效地改善输出光束的空间分布，获得较为对称的激光输出。
激光器 侧面抽运 激光晶体 对称 半导体激光器 lasers side pump laser crystal symmetrical LD
1 清华大学 精密仪器系 光子与电子研究中心 摩擦学国家重点实验室，北京 100084
2 西安电子科技大学 技术物理学院，西安 710071
针对激光晶体不同的表面处理方式，建立了多个半导体激光器阵列同时抽运激光晶体时吸收抽运光功率分布的数学模型，采用光线追迹的方法计算了半导体激光器环形侧面抽运高功率固体激光器中激光晶体对抽运光的吸收分布情况。重点根据不同表面处理方式的激光晶体对抽运光的吸收情况，分析了晶体表面处理对抑制ASE效应和获得高效率激光输出的影响。结果表明，晶体表面散射率的提高，能够有效地抑制ASE效应的产生，但同时会降低抽运光与激光输出的模式匹配程度，降低激光器的效率。
激光器 侧面抽运 表面处理 半导体激光器 激光晶体 lasers side-pump surface treatment LD laser crystal
清华大学 精密仪器与机械学系 光子与电子技术研究中心，北京 100084
传统LD驱动电源通常采用电流参数预定输入的方式，其只能输出给定脉宽、重复频率及峰值的驱动电流，这种方式注定其不能随工作环境的变化而做相应调节。针对上述传统LD驱动电源的固有缺点，介绍一种具有温度自适应调节的LD驱动电源，该电源通过微处理器FPGA芯片检测LD的工作温度，采用温度补偿算法，做到自适应调节驱动电流的大小，实现LD驱动电源的智能化运行，使LD在不同温度下稳定工作。
激光技术 LD驱动电源 温度自适应调节 光功率稳定 laser technique LD power driver temperature adaptively adjust stability of optical output
利用固体可饱和吸收体砷化镓(GaAs)作为被动调Q元件,实现了激光二极管抽运平凹腔掺钕钒酸钇(Nd: YVO4)激光调Q运转,详细测量了砷化镓被动调QNd: YVO4激光输出特性,获得脉宽15ns,重复频率4 70kHz,光束质量M2 =1.31的激光输出,调Q激光运转阈值为5 0 0mW ,并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程,讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系,理论计算结果与实验结果相一致。
激光器 被动调Q 可饱和吸收体 砷化镓
