采用电子束蒸发方法在LiB₃O₅(LBO)晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1064 nm,532 nm倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了测试分析。结果表明,所有样品在1064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1％和0.2％。与无缓冲层样品相比,预镀Al2O3缓冲层的样品的附着力提高了43％,具有SiO2缓冲层的样品的附着力显著提高。激光损伤阈值分析表明,采用SiO2缓冲层改进了薄膜的抗激光损伤性能,但是Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低。

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm，532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明，所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1％和0.2％.与无缓冲层样品相比，采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1％和25.8％，而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布，表明LBO晶体上1 064 nm，532 nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落，激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化，超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量，从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用分光光度计、纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力以及抗激光损伤性能进行了测试分析。结果表明:所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1％和0.2％;与无缓冲层样品相比,预镀Al2O3缓冲层样品的附着力提高了43.1％,具有SiO2缓冲层样品的附着力显著提高,而MgF2缓冲层的插入却导致薄膜附着力降低。应用全塑性压痕理论和剪切理论对薄膜的附着力增强机制进行了分析。薄膜的抗激光损伤性能分析表明,SiO2缓冲层也有助于改进薄膜的激光损伤阈值。

采用电子束蒸发方法在三硼酸锂（LBO）晶体上制备了1064 nm, 532 nm二倍频增透膜。利用Lambda900分光光度计、MTS Nano Indenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试。结果表明, 通过多次实验, 不断改进薄膜沉积工艺条件, 在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜。样品在1064 nm, 532 nm波长的剩余反射率分别为0.07％和0.16％, 薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4 mN和15.14 J/cm2, 薄膜激光损伤发生在Al2O3膜层。

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.

铁电液晶、磁流体等在现代功能材料中具有重要地位,对人们的现实生活也产生了深远影响.本文着力介绍包含球形粒子的偶极流体体系在没有外场情况下的一些结构和性质,以及偶极相互作用对该体系的影响.介绍了国外研究偶极流体所采用的最新方法,这有助于我们进一步了解偶极流体复杂的结构和相变性质.

利用密度泛函理论对Al13团簇的几种典型异构体进行了计算.对几种不同对称性(Ih,D5h,D3h,Oh)的中性和带电团簇Al13、Al13-、Al13+进行了结构优化和总能计算,得到了各种带电状态下的最低能量结构,并计算了Al13团簇的电离势、电子亲和能和结合能.理论结果与实验值比较,比以前的理论计算符合的更好.从中性和负电状态下的正二十面体的最低能量结构出发,研究了氧原子在Al13和Al13-上的吸附行为,并与单个氧原子在铝fcc表面的吸附行为做了比较.计算发现,高稳定性的幻数团簇如Al13-,较中性团簇和铝表面,更不易于氧化.

采用矢量法设计了三硼酸锂晶体上1064 nm、532 nm和355 nm三倍频增透膜,结果表明1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别为0.0017％、0.0002％和0.0013％。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在＋5.5％时,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.20％、0.84％和1.89％。当材料折射率的变化控制在＋3％时,1064 nm处的剩余反射率增大为0.20％,532 nm和355 nm处分别达0.88％和0.24％。与薄膜物理厚度相比, 膜层折射率对剩余反射率的影响大。对膜系敏感层的分析表明, 在1064 nm和355 nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜的厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层。在532 nm波长,第一和第三膜层是该膜系的敏感层。同时发现, 由于薄膜材料的色散, 1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.15％、0.31％和1.52％。

采用平面波赝势密度泛函方法,对单晶氟化锂(LiF)在0～500 GPa 静水压下的光学性质进行了理论研究,并利用Vinet状态方程和准简谐Debye模型得到了其热力学性质.理论计算结果表明单晶氟化锂(LiF) 在0～500 GPa 静水压范围内具有良好的透明性,吸收波段随压强的增加而出现了蓝移.计算所得晶格常数、体积模量及其对压强的一阶导数与实验值相符合.

理论上从半导体激光器的速率方程出发,利用其增益饱和效应,提出了光纤光栅外腔半导体激光器实现波长变换的理论模型.利用此模型对入射波为高斯波时的波长变换进行了数值模拟.实验实测了光纤光栅外腔半导体激光器的波长变换前后的谱线,得到带宽0.1nm,边模抑制比为37.9dB的激光谱线,并且利用此波长的外腔激光器得到了波长转换间隔为8nm的激光谱线.理论分析和实验结果证明,光纤光栅外腔半导体激光器在实现波长变换方面具有很好的线性响应特性.